Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors - IGBT - Mòduls

  • Casa
  •  
  • Transistors - IGBT - Mòduls
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation

APTGT50H120TG

Stock Part: 318

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DA170TG

Stock Part: 319

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DSK60T3G

Stock Part: 290

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Cessió
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DDA60T3G

Stock Part: 311

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 32A, Potència: màx: 62W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Cessió
APTGT150A60TG
Microsemi Corporation

APTGT150A60TG

Stock Part: 326

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 225A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGT150A170G
Microsemi Corporation

APTGT150A170G

Stock Part: 349

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 250A, Potència: màx: 890W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGF50H60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T1G

Stock Part: 308

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGF50H120TG
Microsemi Corporation

APTGF50H120TG

Stock Part: 317

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGF330DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330DA60D3G

Stock Part: 3084

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 460A, Potència: màx: 1400W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A,

Cessió
APTGF25DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25DSK120T3G

Stock Part: 347

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Cessió
APTGF15X120T3G
Microsemi Corporation

APTGF15X120T3G

Stock Part: 282

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 25A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Cessió
APTGF100DA120TG
Microsemi Corporation

APTGF100DA120TG

Stock Part: 363

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 135A, Potència: màx: 568W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGF150H120G
Microsemi Corporation

APTGF150H120G

Stock Part: 322

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 961W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Cessió
APT100GF60JU2
Microsemi Corporation

APT100GF60JU2

Stock Part: 3038

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 120A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Cessió
APT200GN60JDQ4G
Microsemi Corporation

APT200GN60JDQ4G

Stock Part: 326

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 283A, Potència: màx: 682W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Cessió
APT35GP120JDQ2
Microsemi Corporation

APT35GP120JDQ2

Stock Part: 2090

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 64A, Potència: màx: 284W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A,

Cessió