Transistors - IGBT - Mòduls

Casa
Transistors - IGBT - Mòduls

Microsemi Corporation

APTGF75H120TG

Stock Part: 694

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF75DH120TG

Stock Part: 460

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Cessió

APTGF75DSK120TG

Microsemi Corporation

APTGF75DSK120TG

Stock Part: 487

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF75DA60D1G

Stock Part: 494

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 355W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A,

Cessió

APTGF75DDA120TG

Microsemi Corporation

APTGF75DDA120TG

Stock Part: 505

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF660U60D4G

Stock Part: 488

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 860A, Potència: màx: 2800W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 800A,

Cessió

APTGF75DA120T1G

Microsemi Corporation

APTGF75DA120T1G

Stock Part: 480

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50X60T3G

Stock Part: 504

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Cessió

APTGF530U120D4G

Microsemi Corporation

APTGF530U120D4G

Stock Part: 478

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 700A, Potència: màx: 3900W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 600A,

Cessió

APTGF50TDU120PG

Microsemi Corporation

APTGF50TDU120PG

Stock Part: 3072

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Triple, Dual - Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50TA120PG

Stock Part: 469

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Three Phase, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

APTGF50SK120T1G

Microsemi Corporation

APTGF50SK120T1G

Stock Part: 439

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50SK120TG

Stock Part: 484

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50H60T3G

Stock Part: 1481

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50DU120TG

Stock Part: 3098

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50DH60TG

Stock Part: 430

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Cessió

APTGF50DSK60T3G

Microsemi Corporation

APTGF50DSK60T3G

Stock Part: 463

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Cessió

APTGF50DDA60T3G

Microsemi Corporation

APTGF50DDA60T3G

Stock Part: 3088

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50DH120TG

Stock Part: 496

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50DA120TG

Stock Part: 424

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

APTGF50DA120T1G

Microsemi Corporation

APTGF50DA120T1G

Stock Part: 439

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50A60T1G

Stock Part: 518

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50A120TG

Stock Part: 3078

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF500U60D4G

Stock Part: 520

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 625A, Potència: màx: 2000W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 500A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50A120T1G

Stock Part: 439

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

APTGF400U120D4G

Microsemi Corporation

APTGF400U120D4G

Stock Part: 3075

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 510A, Potència: màx: 2500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 400A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF360U60D4G

Stock Part: 479

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 450A, Potència: màx: 1560W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 360A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF350DU60G

Stock Part: 449

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 1562W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF350SK60G

Stock Part: 437

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 1562W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF350A60G

Stock Part: 508

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 1562W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF350DA60G

Stock Part: 424

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 1562W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Cessió

APTGF330SK60D3G

Microsemi Corporation

APTGF330SK60D3G

Stock Part: 514

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 460A, Potència: màx: 1400W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF30X60T3G

Stock Part: 504

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 42A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF330A60D3G

Stock Part: 444

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 520A, Potència: màx: 1560W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF30H60T1G

Stock Part: 469

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 42A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF30H60T3G

Stock Part: 491

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 42A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Cessió

556

«
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
»