Transistors - IGBT - Mòduls | Productes de semiconductors discrets | 16

APTGL90DH120T3G

Stock Part: 541

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 385W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

Stock Part: 556

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

Stock Part: 534

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 280W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

Stock Part: 607

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

Stock Part: 579

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

Stock Part: 542

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 130A, Potència: màx: 780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

Stock Part: 560

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 230A, Potència: màx: 833W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

Stock Part: 5334

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

Stock Part: 574

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT70GR120J

Stock Part: 2416

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 112A, Potència: màx: 543W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

Stock Part: 2286

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 84A, Potència: màx: 417W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT200GN60J

Stock Part: 2197

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 283A, Potència: màx: 682W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

Stock Part: 578

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

Stock Part: 3071

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

Stock Part: 594

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

Stock Part: 580

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 210A, Potència: màx: 1041W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

Stock Part: 540

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 135A, Potència: màx: 568W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

Stock Part: 546

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

Stock Part: 581

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

Stock Part: 600

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 210A, Potència: màx: 961W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

Stock Part: 546

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

Stock Part: 585

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

Stock Part: 3077

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 42A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

Stock Part: 609

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter - IGBT, FET, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

Stock Part: 524

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter - IGBT, FET, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 280W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

Stock Part: 1322

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 215A, Potència: màx: 625W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

Stock Part: 530

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

Stock Part: 491

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

Stock Part: 539

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

Stock Part: 546

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 270W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

Stock Part: 476

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

Stock Part: 466

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 270W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

Stock Part: 528

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 156W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

Stock Part: 540

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 156W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

Stock Part: 546

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

Stock Part: 487

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 25A, Potència: màx: 115W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

Cessió