Transistors - IGBT - Mòduls | Productes de semiconductors discrets | 16

APTGF100SK120TG

Stock Part: 453

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 135A, Potència: màx: 568W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

Stock Part: 3069

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 961W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

Stock Part: 453

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 135A, Potència: màx: 568W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

Stock Part: 411

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 130A, Potència: màx: 735W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

Stock Part: 435

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 135A, Potència: màx: 568W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

Stock Part: 455

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 93A, Potència: màx: 378W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

Stock Part: 418

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 93A, Potència: màx: 378W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

Stock Part: 3465

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 347W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

Stock Part: 3433

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 347W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

Stock Part: 448

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

Stock Part: 465

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 58A, Potència: màx: 192W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

Stock Part: 416

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 58A, Potència: màx: 192W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

Stock Part: 481

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 120A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT75GN120J

Stock Part: 420

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 124A, Potència: màx: 379W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

Stock Part: 401

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 124A, Potència: màx: 379W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT60GT60JR

Stock Part: 445

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 93A, Potència: màx: 378W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GP60J

Stock Part: 2419

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 329W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

Stock Part: 393

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 72A, Potència: màx: 379W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

Stock Part: 2536

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 86A, Potència: màx: 284W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

Stock Part: 469

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 77A, Potència: màx: 347W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT200GN60JG

Stock Part: 406

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 283A, Potència: màx: 682W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

Stock Part: 1653

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 128A, Potència: màx: 543W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

Stock Part: 1360

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT40GP90JDQ2

Stock Part: 2143

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 900V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 64A, Potència: màx: 284W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT40GP90J

Stock Part: 2176

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 900V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 68A, Potència: màx: 284W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GP60JDQ2

Stock Part: 2312

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 329W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT30GP60JDQ1

Stock Part: 2849

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 67A, Potència: màx: 245W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF50DA120CT1G

Stock Part: 351

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF90DA60CT1G

Stock Part: 336

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75DH60T1G

Stock Part: 3031

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50A1202G

Stock Part: 3035

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF100A120T3WG

Stock Part: 285

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 130A, Potència: màx: 657W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75SK170D1G

Stock Part: 351

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 120A, Potència: màx: 520W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75SK60T1G

Stock Part: 371

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50SK120D1G

Stock Part: 316

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 270W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75A120TG

Stock Part: 363

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 350W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió