Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors - IGBT - Mòduls

  • Casa
  •  
  • Transistors - IGBT - Mòduls
APTGT150A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150A120D1G

Stock Part: 531

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 700W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGT150A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150A170D1G

Stock Part: 504

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 280A, Potència: màx: 780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGT100TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT100TA60PG

Stock Part: 499

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK60TG

Stock Part: 503

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK170D1G

Stock Part: 535

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 695W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK60T1G

Stock Part: 475

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK120TG

Stock Part: 499

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 140A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK120D1G

Stock Part: 504

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 520W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100DH170G
Microsemi Corporation

APTGT100DH170G

Stock Part: 519

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 560W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DSK60T3G

Stock Part: 465

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DDA60T3G

Stock Part: 447

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA60TG

Stock Part: 495

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100DA170TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA170TG

Stock Part: 472

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 560W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA170D1G

Stock Part: 489

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 695W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA120D1G

Stock Part: 508

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 520W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA120TG

Stock Part: 456

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 140A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100A170D1G

Stock Part: 453

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 695W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100A60TG
Microsemi Corporation

APTGT100A60TG

Stock Part: 489

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT100A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100A120D1G

Stock Part: 3061

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 520W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGL325SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325SK120D3G

Stock Part: 506

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 420A, Potència: màx: 1500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

Cessió
APTGF90TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGF90TDU60PG

Stock Part: 489

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Triple, Dual - Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Cessió
APTGL325DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325DA120D3G

Stock Part: 464

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 420A, Potència: màx: 1500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

Cessió
APTGF90SK60TG
Microsemi Corporation

APTGF90SK60TG

Stock Part: 437

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Cessió
APTGF90TA60PG
Microsemi Corporation

APTGF90TA60PG

Stock Part: 476

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Three Phase, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Cessió
APTGF90SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90SK60T1G

Stock Part: 509

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Cessió
APTGF90SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90SK60D1G

Stock Part: 494

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 130A, Potència: màx: 445W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGF90DU60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DU60TG

Stock Part: 474

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Cessió
APTGF90H60TG
Microsemi Corporation

APTGF90H60TG

Stock Part: 3062

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Cessió
APTGF90DH60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DH60TG

Stock Part: 461

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Cessió
APTGF90DA60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DA60TG

Stock Part: 519

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Cessió
APTGF90DA60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60D1G

Stock Part: 3081

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 130A, Potència: màx: 445W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGF90DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60T1G

Stock Part: 459

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Cessió
APTGF90A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90A60T1G

Stock Part: 457

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Cessió
APTGF90A60TG
Microsemi Corporation

APTGF90A60TG

Stock Part: 504

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Cessió
APTGF90A60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90A60D1G

Stock Part: 3062

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge,

Cessió
APTGF75SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF75SK60D1G

Stock Part: 467

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 355W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A,

Cessió