Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors - IGBT - Mòduls

  • Casa
  •  
  • Transistors - IGBT - Mòduls
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

Stock Part: 546

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

Stock Part: 5307

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

Stock Part: 531

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

Stock Part: 541

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

Stock Part: 521

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

Stock Part: 490

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

Stock Part: 478

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

Stock Part: 540

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 130A, Potència: màx: 465W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Cessió
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

Stock Part: 464

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 120A, Potència: màx: 520W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Cessió
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

Stock Part: 555

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

Stock Part: 545

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 120A, Potència: màx: 520W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Cessió
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

Stock Part: 548

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

Stock Part: 526

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

Stock Part: 526

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 760A, Potència: màx: 1600W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

Cessió
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

Stock Part: 482

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 310W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

Stock Part: 514

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 310W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

Stock Part: 476

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

Stock Part: 541

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

Stock Part: 552

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 270W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

Stock Part: 528

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

Stock Part: 3071

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

Stock Part: 518

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 310W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

Stock Part: 496

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 270W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

Stock Part: 535

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 310W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

Stock Part: 520

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

Stock Part: 494

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 270W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation

APTGT50A120TG

Stock Part: 483

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation

APTGT450DU60G

Stock Part: 517

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 550A, Potència: màx: 1750W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

Cessió
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK60D3G

Stock Part: 472

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

Cessió
APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120D3G

Stock Part: 507

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 580A, Potència: màx: 2100W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Cessió
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120D3G

Stock Part: 463

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 580A, Potència: màx: 2100W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Cessió
APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35SK120D1G

Stock Part: 527

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 55A, Potència: màx: 205W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Cessió
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35H120T1G

Stock Part: 522

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 55A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Cessió
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120D1G

Stock Part: 463

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 55A, Potència: màx: 205W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Cessió
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35DA120D1G

Stock Part: 481

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 55A, Potència: màx: 205W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Cessió
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170D1G

Stock Part: 507

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 210W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Cessió