Transistors - IGBT - Mòduls

Casa
Transistors - IGBT - Mòduls

Microsemi Corporation

APTGT225A170G

Stock Part: 559

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 340A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT450DA60G

Stock Part: 807

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 550A, Potència: màx: 1750W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT200DH60G

Stock Part: 969

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 290A, Potència: màx: 625W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50A170T1G

Stock Part: 1665

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ200H65G

Stock Part: 235

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 270A, Potència: màx: 680W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100H170G

Stock Part: 545

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 560W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50DA120TG

Stock Part: 1830

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió

APTGT100TDU60PG

Microsemi Corporation

APTGT100TDU60PG

Stock Part: 882

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Triple, Dual - Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100DU60TG

Stock Part: 1678

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT85GR120JD60

Stock Part: 1831

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 116A, Potència: màx: 543W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT200GN60JDQ4

Stock Part: 1985

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 283A, Potència: màx: 682W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT150GN60JDQ4

Stock Part: 2056

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 536W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A,

Cessió

APTGFQ25H120T2G

Microsemi Corporation

APTGFQ25H120T2G

Stock Part: 1323

Tipus IGBT: NPT and Fieldstop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 227W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT200A120G

Stock Part: 466

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 280A, Potència: màx: 890W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT200DU120G

Stock Part: 608

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 280A, Potència: màx: 890W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT100GT120JU2

Stock Part: 2200

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 140A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió

APTCV60TLM45T3G

Microsemi Corporation

APTCV60TLM45T3G

Stock Part: 3094

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter - IGBT, FET, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT85GR120J

Stock Part: 2135

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 116A, Potència: màx: 543W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75A1202G

Stock Part: 548

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT30TL60T3G

Stock Part: 3068

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GF60JCU2

Stock Part: 598

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT25GF120JCU2

Stock Part: 619

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 227W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT15GF120JCU2

Stock Part: 601

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30A, Potència: màx: 156W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3

Stock Part: 2245

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 124A, Potència: màx: 379W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió

APTGT50DH120T3G

Microsemi Corporation

APTGT50DH120T3G

Stock Part: 608

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50H60T2G

Stock Part: 565

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió

APTGLQ40DDA120CT3G

Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

Stock Part: 1378

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Cessió

APT40GLQ120JCU2

Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

Stock Part: 1989

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Cessió

APT25GLQ120JCU2

Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

Stock Part: 2465

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 170W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

Stock Part: 620

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 690W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100A602G

Stock Part: 595

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió

APTGT100DH60T3G

Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

Stock Part: 549

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió

APTGL90SK120T1G

Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

Stock Part: 602

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 385W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

Stock Part: 625

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 140A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió

APTGL60DSK120T3G

Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

Stock Part: 542

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 280W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT75GP120J

Stock Part: 1816

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 128A, Potència: màx: 543W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Cessió

556

«
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
»