Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors - IGBT - Mòduls

  • Casa
  •  
  • Transistors - IGBT - Mòduls
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170T1G

Stock Part: 539

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 210W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Cessió
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30H60T3G

Stock Part: 462

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Cessió
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DDA60T3G

Stock Part: 494

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Cessió
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170T1G

Stock Part: 474

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 210W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Cessió
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT30A60T1G

Stock Part: 506

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Cessió
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170D1G

Stock Part: 525

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 210W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Cessió
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170D3G

Stock Part: 547

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 530A, Potència: màx: 1470W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Cessió
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30A170D1G

Stock Part: 458

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 210W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Cessió
APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA120D3G

Stock Part: 482

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 440A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Cessió
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK120D3G

Stock Part: 515

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 440A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Cessió
APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25H120T1G

Stock Part: 449

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 156W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Cessió
APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25SK120D1G

Stock Part: 3101

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Cessió
APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25DA120D1G

Stock Part: 503

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Cessió
APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120T1G

Stock Part: 542

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 156W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Cessió
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20X60T3G

Stock Part: 455

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 32A, Potència: màx: 62W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Cessió
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120D1G

Stock Part: 495

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Cessió
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DSK60T3G

Stock Part: 520

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 32A, Potència: màx: 62W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Cessió
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20H60T3G

Stock Part: 543

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 32A, Potència: màx: 62W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Cessió
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT20A60T1G

Stock Part: 446

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 32A, Potència: màx: 62W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Cessió
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK170D3G

Stock Part: 509

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Cessió
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60TG

Stock Part: 478

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 290A, Potència: màx: 625W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Cessió
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK120D3G

Stock Part: 528

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300A, Potència: màx: 1050W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Cessió
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT200DA60TG

Stock Part: 520

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 290A, Potència: màx: 625W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Cessió
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200DA170D3G

Stock Part: 465

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Cessió
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation

APTGT200A60TG

Stock Part: 491

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 290A, Potència: màx: 625W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Cessió
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170D1G

Stock Part: 479

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 280A, Potència: màx: 780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK60TG

Stock Part: 527

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 225A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK120TG

Stock Part: 460

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 690W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK120D1G

Stock Part: 445

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 700W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DU60TG

Stock Part: 491

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 225A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation

APTGT150DU170G

Stock Part: 520

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 250A, Potència: màx: 890W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA60TG

Stock Part: 521

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 225A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170D1G

Stock Part: 476

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 280A, Potència: màx: 780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170G

Stock Part: 517

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 250A, Potència: màx: 890W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGT150DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA120D1G

Stock Part: 471

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 700W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió
APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA120TG

Stock Part: 482

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 690W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió