Transistors - IGBT - Mòduls

Casa
Transistors - IGBT - Mòduls

Microsemi Corporation

APTGT150SK120G

Stock Part: 884

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 690W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50TL601G

Stock Part: 1364

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió

APTGT100DU170TG

Microsemi Corporation

APTGT100DU170TG

Stock Part: 857

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 560W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT100GT120JU3

Stock Part: 2103

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 140A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL180A1202G

Stock Part: 876

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 750W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT200TL60G

Stock Part: 424

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300A, Potència: màx: 652W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Cessió

APTGF150DU120TG

Microsemi Corporation

APTGF150DU120TG

Stock Part: 79

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 961W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Cessió

APTGT300SK60D3G

Microsemi Corporation

APTGT300SK60D3G

Stock Part: 713

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 940W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT400A60D3G

Stock Part: 530

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300A60TG

Stock Part: 697

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 935W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300A170G

Stock Part: 353

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1660W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50X60T3G

Stock Part: 1363

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió

APT75GT120JRDQ3

Microsemi Corporation

APT75GT120JRDQ3

Stock Part: 1870

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 97A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GF60JU2

Stock Part: 3168

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT150GT120JR

Stock Part: 1450

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 170A, Potència: màx: 830W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT75GT120JU2

Stock Part: 2315

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT65GP60J

Stock Part: 2051

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 130A, Potència: màx: 431W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT35GP120J

Stock Part: 1978

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 64A, Potència: màx: 284W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75TL60T3G

Stock Part: 1060

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió

APTGT600U120D4G

Microsemi Corporation

APTGT600U120D4G

Stock Part: 398

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 900A, Potència: màx: 2500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT70GR120JD60

Stock Part: 1895

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 112A, Potència: màx: 543W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100H60T3G

Stock Part: 1009

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50H60T3G

Stock Part: 1227

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió

APTGT50SK170T1G

Microsemi Corporation

APTGT50SK170T1G

Stock Part: 1368

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT45GP120J

Stock Part: 2085

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 329W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT46GA90JD40

Stock Part: 2422

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 900V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 87A, Potència: màx: 284W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT80GP60J

Stock Part: 1872

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 151A, Potència: màx: 462W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A,

Cessió

APTGT600U170D4G

Microsemi Corporation

APTGT600U170D4G

Stock Part: 424

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1100A, Potència: màx: 2900W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT150GN120J

Stock Part: 1837

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 215A, Potència: màx: 625W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió

APTCV60TLM70T3G

Microsemi Corporation

APTCV60TLM70T3G

Stock Part: 3129

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió

APTCV60TLM24T3G

Microsemi Corporation

APTCV60TLM24T3G

Stock Part: 835

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT150GN60J

Stock Part: 2460

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 536W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GLQ65JU2

Stock Part: 758

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 220W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT100GN120J

Stock Part: 2064

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 153A, Potència: màx: 446W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT200GT60JR

Stock Part: 1912

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 195A, Potència: màx: 500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT100GT60JR

Stock Part: 2919

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 148A, Potència: màx: 500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Cessió

556

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»