Transistors - IGBT - Mòduls

Casa
Transistors - IGBT - Mòduls

Microsemi Corporation

APTGF300U120DG

Stock Part: 440

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF30A60T1G

Stock Part: 3064

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 42A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF300SK120G

Stock Part: 426

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Cessió

APTGF300SK120D3G

Microsemi Corporation

APTGF300SK120D3G

Stock Part: 497

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 420A, Potència: màx: 2100W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF300DU120G

Stock Part: 448

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF300DA120G

Stock Part: 514

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF300A120G

Stock Part: 339

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Cessió

APTGF300DA120D3G

Microsemi Corporation

APTGF300DA120D3G

Stock Part: 492

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 420A, Potència: màx: 2100W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,

Cessió

APTGF300A120D3G

Microsemi Corporation

APTGF300A120D3G

Stock Part: 3070

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 420A, Potència: màx: 2100W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF25X120T3G

Stock Part: 420

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF25H120T3G

Stock Part: 481

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF25H120T1G

Stock Part: 430

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF25A120T1G

Stock Part: 483

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Cessió

APTGF25DDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGF25DDA120T3G

Stock Part: 415

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Cessió

APTGF250DA60D3G

Microsemi Corporation

APTGF250DA60D3G

Stock Part: 450

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

Cessió

APTGF250SK60D3G

Microsemi Corporation

APTGF250SK60D3G

Stock Part: 511

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF250A60D3G

Stock Part: 427

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF200U120DG

Stock Part: 461

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 275A, Potència: màx: 1136W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

Cessió

APTGF200SK120D3G

Microsemi Corporation

APTGF200SK120D3G

Stock Part: 439

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300A, Potència: màx: 1400W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

Cessió

APTGF200DA120D3G

Microsemi Corporation

APTGF200DA120D3G

Stock Part: 440

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300A, Potència: màx: 1400W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF180SK60TG

Stock Part: 434

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 833W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Cessió

APTGF200A120D3G

Microsemi Corporation

APTGF200A120D3G

Stock Part: 506

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300A, Potència: màx: 1400W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF180H60G

Stock Part: 481

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 833W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF180DU60TG

Stock Part: 433

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 833W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF180DH60G

Stock Part: 421

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 833W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF180DA60TG

Stock Part: 482

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 833W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Cessió

APTGF165SK60D1G

Microsemi Corporation

APTGF165SK60D1G

Stock Part: 463

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 230A, Potència: màx: 730W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF180A60TG

Stock Part: 496

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 833W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF165A60D1G

Stock Part: 456

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 230A, Potència: màx: 781W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

Cessió

APTGF165DA60D1G

Microsemi Corporation

APTGF165DA60D1G

Stock Part: 448

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 230A, Potència: màx: 730W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF15H120T3G

Stock Part: 440

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 25A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF15A120T1G

Stock Part: 442

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 25A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF15H120T1G

Stock Part: 487

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 25A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Cessió

APTGF150SK120TG

Microsemi Corporation

APTGF150SK120TG

Stock Part: 414

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 961W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF150DH120G

Stock Part: 410

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 961W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Cessió

APTGF150DA120TG

Microsemi Corporation

APTGF150DA120TG

Stock Part: 435

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 961W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Cessió

556

«
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
»