Transistors - IGBT - Mòduls

Casa
Transistors - IGBT - Mòduls

Microsemi Corporation

APTGLQ200H120G

Stock Part: 505

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 350A, Potència: màx: 1000W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT600DA60G

Stock Part: 718

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 700A, Potència: màx: 2300W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75DA60T1G

Stock Part: 2807

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió

APTGL475U120D4G

Microsemi Corporation

APTGL475U120D4G

Stock Part: 692

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 610A, Potència: màx: 2082W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ75H65T1G

Stock Part: 1579

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Cessió

APTGT100DU120TG

Microsemi Corporation

APTGT100DU120TG

Stock Part: 1313

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 140A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50DU120TG

Stock Part: 1568

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió

APTGT300A170D3G

Microsemi Corporation

APTGT300A170D3G

Stock Part: 469

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 530A, Potència: màx: 1470W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT150SK170G

Stock Part: 920

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 250A, Potència: màx: 890W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300SK170G

Stock Part: 631

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1660W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Cessió

APTGT400A120D3G

Microsemi Corporation

APTGT400A120D3G

Stock Part: 443

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 580A, Potència: màx: 2100W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Cessió

APTGL60DDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGL60DDA120T3G

Stock Part: 1919

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 280W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100TL170G

Stock Part: 530

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 560W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Cessió

APTGTQ200A65T3G

Microsemi Corporation

APTGTQ200A65T3G

Stock Part: 255

Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 483W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Cessió

APTGTQ100H65T3G

Microsemi Corporation

APTGTQ100H65T3G

Stock Part: 237

Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75X60T3G

Stock Part: 1419

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT150A120G

Stock Part: 851

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 690W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50H60T1G

Stock Part: 2031

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT225DA170G

Stock Part: 770

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 340A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100A60T1G

Stock Part: 2167

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT225DU170G

Stock Part: 515

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 340A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Cessió

APTGT200SK60T3AG

Microsemi Corporation

APTGT200SK60T3AG

Stock Part: 1579

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 290A, Potència: màx: 750W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT200DH120G

Stock Part: 709

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 280A, Potència: màx: 890W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Cessió

APTGL90DDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGL90DDA120T3G

Stock Part: 1593

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 385W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Cessió

APTGTQ50TA65T3G

Microsemi Corporation

APTGTQ50TA65T3G

Stock Part: 244

Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 125W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Cessió

APTGTQ200SK65T3G

Microsemi Corporation

APTGTQ200SK65T3G

Stock Part: 292

Configuració: Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 483W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT450A60G

Stock Part: 612

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 550A, Potència: màx: 1750W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50H170TG

Stock Part: 818

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50H120T3G

Stock Part: 1389

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 270W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió

APTGT75DH120T3G

Microsemi Corporation

APTGT75DH120T3G

Stock Part: 1513

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT40GL120JU3

Stock Part: 3651

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 220W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT200DA120G

Stock Part: 955

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 280A, Potència: màx: 890W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ30H65T3G

Stock Part: 281

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 95W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75H120TG

Stock Part: 963

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió

APTGLQ25H120T1G

Microsemi Corporation

APTGLQ25H120T1G

Stock Part: 271

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 165W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75TA120PG

Stock Part: 672

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 350W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió

556

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»