Transistors - IGBT - Mòduls | Productes de semiconductors discrets | 16

APTGT100A170TG

Stock Part: 1066

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 560W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300SK120G

Stock Part: 816

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 420A, Potència: màx: 1380W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ80HR120CT3G

Stock Part: 1034

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL475DA120D3G

Stock Part: 763

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 610A, Potència: màx: 2080W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100SK170TG

Stock Part: 1414

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 560W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100TL60T3G

Stock Part: 1115

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT35GT120JU3

Stock Part: 3761

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 55A, Potència: màx: 260W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ600A65T6G

Stock Part: 512

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1200A, Potència: màx: 2000W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT225SK170G

Stock Part: 816

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 340A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT200A120D3G

Stock Part: 726

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300A, Potència: màx: 1040W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT150DA60T1G

Stock Part: 2480

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 225A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ300SK120G

Stock Part: 249

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500A, Potència: màx: 1500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100H120G

Stock Part: 718

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 140A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300DA170D3G

Stock Part: 767

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 530A, Potència: màx: 1470W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL90DA120T1G

Stock Part: 2308

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 385W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ400A120T6G

Stock Part: 452

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 700A, Potència: màx: 1900W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T1G

Stock Part: 261

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 175W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50H60RT3G

Stock Part: 1712

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL90H120T3G

Stock Part: 1107

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 385W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT400DU120G

Stock Part: 445

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 560A, Potència: màx: 1785W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75DU120TG

Stock Part: 1368

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 350W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL120TA120TPG

Stock Part: 398

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 140A, Potència: màx: 517W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT200SK120G

Stock Part: 970

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 280A, Potència: màx: 890W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL120TDU120TPG

Stock Part: 524

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Triple, Dual - Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 140A, Potència: màx: 517W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT150A60T3AG

Stock Part: 1382

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 225A, Potència: màx: 600W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL60TL120T3G

Stock Part: 1437

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 280W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ100DA120T1G

Stock Part: 324

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 170A, Potència: màx: 520W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ200A120T3AG

Stock Part: 317

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: 2 Independent, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL90DSK120T3G

Stock Part: 1591

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 385W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL90A120T1G

Stock Part: 1766

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 385W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ300H65G

Stock Part: 510

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600A, Potència: màx: 1000W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGTQ100A65T1G

Stock Part: 268

Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75A60T1G

Stock Part: 2517

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT30X60T3G

Stock Part: 1938

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGTQ200DA65T3G

Stock Part: 297

Configuració: Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 483W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100H60TG

Stock Part: 1208

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió