Transistors - IGBT - Mòduls | Productes de semiconductors discrets | 16

APTGT150DA120G

Stock Part: 1025

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 690W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL475A120D3G

Stock Part: 507

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 610A, Potència: màx: 2080W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT150A60T1G

Stock Part: 1880

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 225A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGTQ150TA65TPG

Stock Part: 285

Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 365W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75TDU120PG

Stock Part: 685

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Triple, Dual - Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 350W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T3G

Stock Part: 285

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 175W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ40H120T1G

Stock Part: 1701

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300A60G

Stock Part: 824

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 1150W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100DA120T1G

Stock Part: 2132

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 140A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ40HR120CT3G

Stock Part: 1678

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75H60T2G

Stock Part: 1713

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT200A170D3G

Stock Part: 586

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300DH60G

Stock Part: 698

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 1150W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT20H60T1G

Stock Part: 2483

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 32A, Potència: màx: 62W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT150H120G

Stock Part: 519

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 690W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75DA120TG

Stock Part: 1737

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50A120T1G

Stock Part: 1412

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT30A170T1G

Stock Part: 2036

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 210W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL700U120D4G

Stock Part: 608

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 910A, Potència: màx: 3000W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT400DA60D3G

Stock Part: 1098

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50SK170TG

Stock Part: 1637

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT30H170T3G

Stock Part: 1338

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 210W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT30TL601G

Stock Part: 2151

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT25X120T3G

Stock Part: 1534

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 156W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ150H120G

Stock Part: 301

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 250A, Potència: màx: 750W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50SK120TG

Stock Part: 1788

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ50TL65T3G

Stock Part: 238

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 175W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL700DA120D3G

Stock Part: 596

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 840A, Potència: màx: 3000W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT150H60TG

Stock Part: 1078

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 225A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100DH60TG

Stock Part: 1515

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50TA60PG

Stock Part: 1144

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGTQ100DDA65T3G

Stock Part: 320

Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT50DH120TG

Stock Part: 1402

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300A120G

Stock Part: 588

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 420A, Potència: màx: 1380W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT150DH60TG

Stock Part: 1369

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 225A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT400DA120G

Stock Part: 762

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 560A, Potència: màx: 1785W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Cessió