Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
ES1J
ON Semiconductor

ES1J

Stock Part: 120830

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBR1100RLG
ON Semiconductor

MBR1100RLG

Stock Part: 134020

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR140SFT1G
ON Semiconductor

MBR140SFT1G

Stock Part: 115053

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MMDL914T1G
ON Semiconductor

MMDL914T1G

Stock Part: 175534

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
NSR0340HT1G
ON Semiconductor

NSR0340HT1G

Stock Part: 116584

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 590mV @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
MBRA130LT3G
ON Semiconductor

MBRA130LT3G

Stock Part: 164686

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 410mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S2A
ON Semiconductor

S2A

Stock Part: 155572

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
SS16T3G
ON Semiconductor

SS16T3G

Stock Part: 121210

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFD08S60S-F085
ON Semiconductor

FFD08S60S-F085

Stock Part: 8758

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.6V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió
MBR120VLSFT1G
ON Semiconductor

MBR120VLSFT1G

Stock Part: 157566

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 340mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVTS260ESFT1G
ON Semiconductor

NRVTS260ESFT1G

Stock Part: 184461

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS24
ON Semiconductor

SS24

Stock Part: 183161

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FYV0704SMTF
ON Semiconductor

FYV0704SMTF

Stock Part: 150310

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 750mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 480mV @ 750mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2H200SFT1G
ON Semiconductor

MBR2H200SFT1G

Stock Part: 189737

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 940mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MURA120T3G
ON Semiconductor

MURA120T3G

Stock Part: 153821

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 875mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MURS320T3G
ON Semiconductor

MURS320T3G

Stock Part: 134320

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 875mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBRS130LT3G
ON Semiconductor

MBRS130LT3G

Stock Part: 188272

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 445mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFPF10F150STU
ON Semiconductor

FFPF10F150STU

Stock Part: 56395

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 170ns,

Cessió
MBR120VLSFT3G
ON Semiconductor

MBR120VLSFT3G

Stock Part: 118346

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 340mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS14
ON Semiconductor

SS14

Stock Part: 127345

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MURS340T3G
ON Semiconductor

MURS340T3G

Stock Part: 168923

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
FFPF08S60STU
ON Semiconductor

FFPF08S60STU

Stock Part: 77907

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.6V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió
ES3D
ON Semiconductor

ES3D

Stock Part: 179589

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

Cessió
S1J
ON Semiconductor

S1J

Stock Part: 163070

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió
MURS120T3G
ON Semiconductor

MURS120T3G

Stock Part: 175861

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 875mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBR140SFT3G
ON Semiconductor

MBR140SFT3G

Stock Part: 115309

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR0140P2T5G
ON Semiconductor

NSR0140P2T5G

Stock Part: 118117

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 350mV @ 1mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MMBD6050LT1G
ON Semiconductor

MMBD6050LT1G

Stock Part: 155972

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 70V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
FDLL4150
ON Semiconductor

FDLL4150

Stock Part: 103380

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió
MBRS540T3G
ON Semiconductor

MBRS540T3G

Stock Part: 165894

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MRA4003T3G
ON Semiconductor

MRA4003T3G

Stock Part: 175809

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MMDL6050T1G
ON Semiconductor

MMDL6050T1G

Stock Part: 179851

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 70V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
RURD420S9A
ON Semiconductor

RURD420S9A

Stock Part: 160362

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
NRVTSA4100ET3G
ON Semiconductor

NRVTSA4100ET3G

Stock Part: 124720

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S1B
ON Semiconductor

S1B

Stock Part: 179976

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió
RB520S30T1G
ON Semiconductor

RB520S30T1G

Stock Part: 128321

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió