Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
MBR130T3G
ON Semiconductor

MBR130T3G

Stock Part: 126993

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 700mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MMSD301T1G
ON Semiconductor

MMSD301T1G

Stock Part: 170752

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SS26T3G
ON Semiconductor

SS26T3G

Stock Part: 199954

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS34FA
ON Semiconductor

SS34FA

Stock Part: 123971

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S2J
ON Semiconductor

S2J

Stock Part: 166479

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
RHRG5060-F085
ON Semiconductor

RHRG5060-F085

Stock Part: 9155

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 50A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

Cessió
RHRG3060-F085
ON Semiconductor

RHRG3060-F085

Stock Part: 9038

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

Cessió
RGP10G
ON Semiconductor

RGP10G

Stock Part: 177873

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
S210FA
ON Semiconductor

S210FA

Stock Part: 157287

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS24T3G
ON Semiconductor

SS24T3G

Stock Part: 166986

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FSV8100V
ON Semiconductor

FSV8100V

Stock Part: 107691

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 670mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 19.64ns,

Cessió
MMSD3070
ON Semiconductor

MMSD3070

Stock Part: 103713

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
EGP10K
ON Semiconductor

EGP10K

Stock Part: 181523

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
FFPF15S60STU
ON Semiconductor

FFPF15S60STU

Stock Part: 45566

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.6V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
M1MA141KT1G
ON Semiconductor

M1MA141KT1G

Stock Part: 124363

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 3ns,

Cessió
NRVBA1H100T3G
ON Semiconductor

NRVBA1H100T3G

Stock Part: 148596

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 760mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVBA340T3G
ON Semiconductor

NRVBA340T3G

Stock Part: 116298

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVBM140T1G
ON Semiconductor

NRVBM140T1G

Stock Part: 106003

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR0530T3G
ON Semiconductor

MBR0530T3G

Stock Part: 197333

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 430mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVB0540T1G
ON Semiconductor

NRVB0540T1G

Stock Part: 141621

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
M1MA151KT1G
ON Semiconductor

M1MA151KT1G

Stock Part: 156591

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 3ns,

Cessió
S3D
ON Semiconductor

S3D

Stock Part: 169061

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió
MURS260T3G
ON Semiconductor

MURS260T3G

Stock Part: 169065

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.45V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
NSR02F30NXT5G
ON Semiconductor

NSR02F30NXT5G

Stock Part: 107512

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MRA4005T1G
ON Semiconductor

MRA4005T1G

Stock Part: 174845

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
ES1JFL
ON Semiconductor

ES1JFL

Stock Part: 117030

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SS28
ON Semiconductor

SS28

Stock Part: 162774

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2H200SFT3G
ON Semiconductor

MBR2H200SFT3G

Stock Part: 179416

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 940mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SSA210
ON Semiconductor

SSA210

Stock Part: 174015

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 8.02ns,

Cessió
MBRS360BT3G
ON Semiconductor

MBRS360BT3G

Stock Part: 156068

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SB1245
ON Semiconductor

SB1245

Stock Part: 89911

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS16HE
ON Semiconductor

SS16HE

Stock Part: 104249

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 8.3ns,

Cessió
SS34
ON Semiconductor

SS34

Stock Part: 195146

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR1540G
ON Semiconductor

MUR1540G

Stock Part: 52717

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

Cessió
NSVR0240V2T1G
ON Semiconductor

NSVR0240V2T1G

Stock Part: 192132

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3ns,

Cessió
MBRM110LT3G
ON Semiconductor

MBRM110LT3G

Stock Part: 148815

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 10V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 365mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió