Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
NSR0620P2T5G
ON Semiconductor

NSR0620P2T5G

Stock Part: 163184

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
S1D
ON Semiconductor

S1D

Stock Part: 166543

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió
NSVBAS21HT1G
ON Semiconductor

NSVBAS21HT1G

Stock Part: 112763

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
MBRM2H100T3G
ON Semiconductor

MBRM2H100T3G

Stock Part: 198627

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RB521S30T5G
ON Semiconductor

RB521S30T5G

Stock Part: 123539

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MURS240T3G
ON Semiconductor

MURS240T3G

Stock Part: 163982

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 65ns,

Cessió
RGF1G
ON Semiconductor

RGF1G

Stock Part: 139093

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
MBRS3100T3G
ON Semiconductor

MBRS3100T3G

Stock Part: 168705

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS410LT3G
ON Semiconductor

MBRS410LT3G

Stock Part: 107018

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 10V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 330mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS230LT3G
ON Semiconductor

MBRS230LT3G

Stock Part: 148792

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRA160T3G
ON Semiconductor

MBRA160T3G

Stock Part: 136985

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR8100EG
ON Semiconductor

MUR8100EG

Stock Part: 62139

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 100ns,

Cessió
NRVBS3100T3G
ON Semiconductor

NRVBS3100T3G

Stock Part: 197464

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR01L30MXT5G
ON Semiconductor

NSR01L30MXT5G

Stock Part: 111166

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 460mV @ 10mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SB530
ON Semiconductor

SB530

Stock Part: 118539

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UF4005
ON Semiconductor

UF4005

Stock Part: 169787

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
NRVHPM220T3G
ON Semiconductor

NRVHPM220T3G

Stock Part: 174541

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
ES1G
ON Semiconductor

ES1G

Stock Part: 147149

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SS26
ON Semiconductor

SS26

Stock Part: 196998

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBAS16WT1G
ON Semiconductor

SBAS16WT1G

Stock Part: 188390

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió
MMBD6050LT3G
ON Semiconductor

MMBD6050LT3G

Stock Part: 113666

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 70V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
NRVHPM120T3G
ON Semiconductor

NRVHPM120T3G

Stock Part: 25886

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió
RGP10B
ON Semiconductor

RGP10B

Stock Part: 198620

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
S1K
ON Semiconductor

S1K

Stock Part: 119657

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió
FDLL485B
ON Semiconductor

FDLL485B

Stock Part: 130417

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 180V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
S1GHE
ON Semiconductor

S1GHE

Stock Part: 149277

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 782ns,

Cessió
SS23
ON Semiconductor

SS23

Stock Part: 195574

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS130
ON Semiconductor

MBRS130

Stock Part: 191013

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MMDL770T1G
ON Semiconductor

MMDL770T1G

Stock Part: 144595

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 70V, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MUR460RLG
ON Semiconductor

MUR460RLG

Stock Part: 180599

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.28V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
S2M
ON Semiconductor

S2M

Stock Part: 153330

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
RS1J
ON Semiconductor

RS1J

Stock Part: 171774

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 250ns,

Cessió
NTS260ESFT1G
ON Semiconductor

NTS260ESFT1G

Stock Part: 191535

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVBS360T3G
ON Semiconductor

NRVBS360T3G

Stock Part: 193400

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FDLL3595
ON Semiconductor

FDLL3595

Stock Part: 117974

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 125V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió
MBRS130T3G
ON Semiconductor

MBRS130T3G

Stock Part: 111159

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió