Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
NSR0240HT1G
ON Semiconductor

NSR0240HT1G

Stock Part: 193704

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 710mV @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3ns,

Cessió
NRVBM130LT1G
ON Semiconductor

NRVBM130LT1G

Stock Part: 155071

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSVR0320MW2T1G
ON Semiconductor

NSVR0320MW2T1G

Stock Part: 191483

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 900mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR05F20NXT5G
ON Semiconductor

NSR05F20NXT5G

Stock Part: 128149

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 430mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
ES3A
ON Semiconductor

ES3A

Stock Part: 122766

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

Cessió
US1JFA
ON Semiconductor

US1JFA

Stock Part: 192764

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
RB751S40T5G
ON Semiconductor

RB751S40T5G

Stock Part: 162221

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 370mV @ 1mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MBR1020VL
ON Semiconductor

MBR1020VL

Stock Part: 145767

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 340mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 12.4ns,

Cessió
NSR05T40P2T5G
ON Semiconductor

NSR05T40P2T5G

Stock Part: 187926

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 8ns,

Cessió
FDLL4448
ON Semiconductor

FDLL4448

Stock Part: 148170

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
SS14HE
ON Semiconductor

SS14HE

Stock Part: 173388

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 5.6ns,

Cessió
MURS360T3G
ON Semiconductor

MURS360T3G

Stock Part: 115583

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
MBRM130LT1G
ON Semiconductor

MBRM130LT1G

Stock Part: 114466

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 380mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR230LSFT1G
ON Semiconductor

MBR230LSFT1G

Stock Part: 141743

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 430mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR1100ERLG
ON Semiconductor

MUR1100ERLG

Stock Part: 187007

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 100ns,

Cessió
SBAS16XV2T1G
ON Semiconductor

SBAS16XV2T1G

Stock Part: 191948

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió
S2B
ON Semiconductor

S2B

Stock Part: 120589

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
SS15FA
ON Semiconductor

SS15FA

Stock Part: 167269

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS330T3G
ON Semiconductor

MBRS330T3G

Stock Part: 138015

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBRS8140T3G
ON Semiconductor

SBRS8140T3G

Stock Part: 103235

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RS1D
ON Semiconductor

RS1D

Stock Part: 156018

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
FDH3595
ON Semiconductor

FDH3595

Stock Part: 149128

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 125V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
S1GFL
ON Semiconductor

S1GFL

Stock Part: 122549

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
NRVBM140T3G
ON Semiconductor

NRVBM140T3G

Stock Part: 168655

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS340
ON Semiconductor

MBRS340

Stock Part: 102071

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 525mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FSV12120V
ON Semiconductor

FSV12120V

Stock Part: 159664

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MURS140T3G
ON Semiconductor

MURS140T3G

Stock Part: 187793

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
MBRM110ET1G
ON Semiconductor

MBRM110ET1G

Stock Part: 146036

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 10V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 530mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MMSD4148T3G
ON Semiconductor

MMSD4148T3G

Stock Part: 138370

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
SS16
ON Semiconductor

SS16

Stock Part: 172368

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MURS160T3G
ON Semiconductor

MURS160T3G

Stock Part: 146052

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
MMBD914LT3G
ON Semiconductor

MMBD914LT3G

Stock Part: 194451

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
NSD914XV2T1G
ON Semiconductor

NSD914XV2T1G

Stock Part: 126128

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
MBRM140T1G
ON Semiconductor

MBRM140T1G

Stock Part: 196114

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR0530T1G
ON Semiconductor

MBR0530T1G

Stock Part: 162335

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 430mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FD700
MICROSS/On Semiconductor

FD700

Stock Part: 18318

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 50mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 700ns,

Cessió