Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors - Unijunction programable

  • Casa
  •  
  • Transistors - Unijunction programable
2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

Stock Part: 2509

Voltatge: 40V, Dissipació de potència (màx.): 300mW, Voltatge - Sortida: 11V, Voltatge - Offset (Vt): 600mV, Actual: porta a la fuga d'ànode (Igao): 10nA, Actual - Vall (Iv): 25µA,

Cessió
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

Stock Part: 2537

Voltatge: 40V, Dissipació de potència (màx.): 300mW, Voltatge - Sortida: 11V, Voltatge - Offset (Vt): 600mV, Actual: porta a la fuga d'ànode (Igao): 10nA, Actual - Vall (Iv): 25µA,

Cessió
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

Stock Part: 2538

Voltatge: 40V, Dissipació de potència (màx.): 300mW, Voltatge - Sortida: 11V, Voltatge - Offset (Vt): 1.6V, Actual: porta a la fuga d'ànode (Igao): 10nA, Actual - Vall (Iv): 50µA,

Cessió
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

Stock Part: 2531

Voltatge: 40V, Dissipació de potència (màx.): 300mW, Voltatge - Sortida: 11V, Voltatge - Offset (Vt): 600mV, Actual: porta a la fuga d'ànode (Igao): 10nA, Actual - Vall (Iv): 25µA,

Cessió
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

Stock Part: 2482

Voltatge: 40V, Dissipació de potència (màx.): 300mW, Voltatge - Sortida: 11V, Voltatge - Offset (Vt): 1.6V, Actual: porta a la fuga d'ànode (Igao): 10nA, Actual - Vall (Iv): 50µA,

Cessió
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

Stock Part: 2534

Voltatge: 40V, Dissipació de potència (màx.): 300mW, Voltatge - Sortida: 11V, Voltatge - Offset (Vt): 600mV, Actual: porta a la fuga d'ànode (Igao): 10nA, Actual - Vall (Iv): 25µA,

Cessió
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

Stock Part: 2493

Voltatge: 40V, Dissipació de potència (màx.): 300mW, Voltatge - Sortida: 11V, Voltatge - Offset (Vt): 1.6V, Actual: porta a la fuga d'ànode (Igao): 10nA, Actual - Vall (Iv): 50µA,

Cessió
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

Stock Part: 2505

Voltatge: 40V, Dissipació de potència (màx.): 300mW, Voltatge - Sortida: 11V, Voltatge - Offset (Vt): 600mV, Actual: porta a la fuga d'ànode (Igao): 10nA, Actual - Vall (Iv): 25µA,

Cessió
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

Stock Part: 2518

Voltatge: 40V, Dissipació de potència (màx.): 300mW, Voltatge - Sortida: 11V, Voltatge - Offset (Vt): 1.6V, Actual: porta a la fuga d'ànode (Igao): 10nA, Actual - Vall (Iv): 50µA,

Cessió
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

Stock Part: 2522

Voltatge: 40V, Dissipació de potència (màx.): 300mW, Voltatge - Sortida: 11V, Voltatge - Offset (Vt): 600mV, Actual: porta a la fuga d'ànode (Igao): 10nA, Actual - Vall (Iv): 25µA,

Cessió
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

Stock Part: 2457

Voltatge: 40V, Dissipació de potència (màx.): 300mW, Voltatge - Sortida: 11V, Voltatge - Offset (Vt): 1.6V, Actual: porta a la fuga d'ànode (Igao): 10nA, Actual - Vall (Iv): 50µA,

Cessió