Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
MBRS1100T3G
ON Semiconductor

MBRS1100T3G

Stock Part: 131031

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR1020MW2T1G
ON Semiconductor

NSR1020MW2T1G

Stock Part: 171022

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 540mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS240LT3G
ON Semiconductor

MBRS240LT3G

Stock Part: 144321

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 430mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S1JFP
ON Semiconductor

S1JFP

Stock Part: 137634

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1.2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.5µs,

Cessió
MBRS360T3G
ON Semiconductor

MBRS360T3G

Stock Part: 108505

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 740mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS3200T3G
ON Semiconductor

MBRS3200T3G

Stock Part: 161075

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR130LSFT1G
ON Semiconductor

MBR130LSFT1G

Stock Part: 165453

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 380mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RB751V40T1G
ON Semiconductor

RB751V40T1G

Stock Part: 188369

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 370mV @ 1mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
FDLL914
ON Semiconductor

FDLL914

Stock Part: 108701

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
MBR0520L
ON Semiconductor

MBR0520L

Stock Part: 112704

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 385mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBAS21LT1G
ON Semiconductor

SBAS21LT1G

Stock Part: 181831

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
GF1G
ON Semiconductor

GF1G

Stock Part: 172834

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
MBR130T1G
ON Semiconductor

MBR130T1G

Stock Part: 184771

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 700mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR0320MW2T1G
ON Semiconductor

NSR0320MW2T1G

Stock Part: 150747

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 900mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRM140T3G
ON Semiconductor

MBRM140T3G

Stock Part: 119593

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MRA4007T3G
ON Semiconductor

MRA4007T3G

Stock Part: 122009

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFPF10UP60STU
ON Semiconductor

FFPF10UP60STU

Stock Part: 49873

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 58ns,

Cessió
SS13HE
ON Semiconductor

SS13HE

Stock Part: 158678

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 5.6ns,

Cessió
NSR20F40NXT5G
ON Semiconductor

NSR20F40NXT5G

Stock Part: 106134

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S2G
ON Semiconductor

S2G

Stock Part: 113037

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
MBRS2040LT3G
ON Semiconductor

MBRS2040LT3G

Stock Part: 119544

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 430mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR0540T3G
ON Semiconductor

MBR0540T3G

Stock Part: 134793

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR0240V2T1G
ON Semiconductor

NSR0240V2T1G

Stock Part: 115027

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3ns,

Cessió
MBRS140T3G
ON Semiconductor

MBRS140T3G

Stock Part: 101708

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR05F40NXT5G
ON Semiconductor

NSR05F40NXT5G

Stock Part: 187389

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 460mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRA340T3G
ON Semiconductor

MBRA340T3G

Stock Part: 123158

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVTS245ESFT1G
ON Semiconductor

NRVTS245ESFT1G

Stock Part: 178237

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR0530P2T5G
ON Semiconductor

NSR0530P2T5G

Stock Part: 131901

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MRA4006T3G
ON Semiconductor

MRA4006T3G

Stock Part: 117896

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR420RLG
ON Semiconductor

MUR420RLG

Stock Part: 197678

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 890mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
S3M
ON Semiconductor

S3M

Stock Part: 159145

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió
SBAS16LT1G
ON Semiconductor

SBAS16LT1G

Stock Part: 180294

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió
MBRS4201T3G
ON Semiconductor

MBRS4201T3G

Stock Part: 154737

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 860mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
FDH300TR
ON Semiconductor

FDH300TR

Stock Part: 121199

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 125V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MBRS2H100T3G
ON Semiconductor

MBRS2H100T3G

Stock Part: 199401

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MMSD914T1G
ON Semiconductor

MMSD914T1G

Stock Part: 180265

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió