Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
MURHS160T3G
ON Semiconductor

MURHS160T3G

Stock Part: 48446

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.4V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
NTS10100MFST1G
ON Semiconductor

NTS10100MFST1G

Stock Part: 164225

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MURA160T3G
ON Semiconductor

MURA160T3G

Stock Part: 108734

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
MBRD835LT4G
ON Semiconductor

MBRD835LT4G

Stock Part: 120555

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MR856RLG
ON Semiconductor

MR856RLG

Stock Part: 167352

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió
FS8M
ON Semiconductor

FS8M

Stock Part: 115488

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3.37µs,

Cessió
RS1G
ON Semiconductor

RS1G

Stock Part: 105685

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
FDH400
ON Semiconductor

FDH400

Stock Part: 194801

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 300mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
RGP10K
ON Semiconductor

RGP10K

Stock Part: 142432

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió
MBRA140T3G
ON Semiconductor

MBRA140T3G

Stock Part: 117382

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS24FL
ON Semiconductor

SS24FL

Stock Part: 190954

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 9.495ns,

Cessió
RB521S30
ON Semiconductor

RB521S30

Stock Part: 157379

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SMMBD914LT3G
ON Semiconductor

SMMBD914LT3G

Stock Part: 187024

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
FDLL914B
ON Semiconductor

FDLL914B

Stock Part: 138248

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 5mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
MBRD340T4G
ON Semiconductor

MBRD340T4G

Stock Part: 170715

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FDH444
ON Semiconductor

FDH444

Stock Part: 111745

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 125V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 300mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

Cessió
NBRS2H100T3G
ON Semiconductor

NBRS2H100T3G

Stock Part: 26951

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FSV1045V
ON Semiconductor

FSV1045V

Stock Part: 199726

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 440mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS25
ON Semiconductor

SS25

Stock Part: 107810

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBR80520LT3G
ON Semiconductor

SBR80520LT3G

Stock Part: 139545

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 385mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRM110LT1G
ON Semiconductor

MBRM110LT1G

Stock Part: 177581

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 10V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 365mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBAS21LT3G
ON Semiconductor

SBAS21LT3G

Stock Part: 160725

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
SB05-05C-TB-E
ON Semiconductor

SB05-05C-TB-E

Stock Part: 143867

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 10ns,

Cessió
MMBD1201
ON Semiconductor

MMBD1201

Stock Part: 106935

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
RGP10J
ON Semiconductor

RGP10J

Stock Part: 105000

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 250ns,

Cessió
FSV15100V
ON Semiconductor

FSV15100V

Stock Part: 164551

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS36
ON Semiconductor

SS36

Stock Part: 157655

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RHRG1560-F085
ON Semiconductor

RHRG1560-F085

Stock Part: 9039

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 55ns,

Cessió
SS26FL
ON Semiconductor

SS26FL

Stock Part: 106716

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 8.26ns,

Cessió
SMMBD914LT1G
ON Semiconductor

SMMBD914LT1G

Stock Part: 111670

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
S320
ON Semiconductor

S320

Stock Part: 143889

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió
EGP10F
ON Semiconductor

EGP10F

Stock Part: 196575

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
S3MB
ON Semiconductor

S3MB

Stock Part: 138314

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.5µs,

Cessió
NSR10F30NXT5G
ON Semiconductor

NSR10F30NXT5G

Stock Part: 195819

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FSV1060V
ON Semiconductor

FSV1060V

Stock Part: 188464

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
EGF1B
ON Semiconductor

EGF1B

Stock Part: 111183

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió