Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Capacitància variable (Varicaps, V

  • Casa
  •  
  • Diodes - Capacitància variable (Varicaps, V
SVC203C-TB-E
ON Semiconductor

SVC203C-TB-E

Stock Part: 178025

Capacitància @ Vr, F: 13.4pF @ 9V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 4.6, Estat de la relació de capacitat: C1/C9, Voltatge: pic invers (màxim): 16V, Tipus de díode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 60 @ 3V, 100MHz,

Cessió
MMBV109LT3G
ON Semiconductor

MMBV109LT3G

Stock Part: 7476

Capacitància @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 6.5, Estat de la relació de capacitat: C3/C25, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Cessió
MMBV409LT1
ON Semiconductor

MMBV409LT1

Stock Part: 4762

Capacitància @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 1.9, Estat de la relació de capacitat: C3/C8, Voltatge: pic invers (màxim): 20V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Cessió
MMBV3102LT1
ON Semiconductor

MMBV3102LT1

Stock Part: 7497

Capacitància @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 4.8, Estat de la relació de capacitat: C3/C25, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Cessió
MMBV809LT3G
ON Semiconductor

MMBV809LT3G

Stock Part: 7496

Capacitància @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 2.6, Estat de la relació de capacitat: C2/C8, Voltatge: pic invers (màxim): 20V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

Cessió
MV104G
ON Semiconductor

MV104G

Stock Part: 7467

Capacitància @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 2.8, Estat de la relació de capacitat: C3/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 32V, Tipus de díode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,

Cessió
MMBV105GLT1G
ON Semiconductor

MMBV105GLT1G

Stock Part: 7457

Capacitància @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 6.5, Estat de la relació de capacitat: C3/C25, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

Cessió
MMBV2108LT1G
ON Semiconductor

MMBV2108LT1G

Stock Part: 7478

Capacitància @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

Cessió
MMBV409LT1G
ON Semiconductor

MMBV409LT1G

Stock Part: 7505

Capacitància @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 1.9, Estat de la relació de capacitat: C3/C8, Voltatge: pic invers (màxim): 20V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Cessió
MMBV2105LT1
ON Semiconductor

MMBV2105LT1

Stock Part: 7497

Capacitància @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

Cessió
MV209G
ON Semiconductor

MV209G

Stock Part: 7434

Capacitància @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 6.5, Estat de la relació de capacitat: C3/C25, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Cessió
SVC236-TB-E
ON Semiconductor

SVC236-TB-E

Stock Part: 172795

Capacitància @ Vr, F: 16.84pF @ 6.5V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 5, Estat de la relació de capacitat: C1/C6.5, Voltatge: pic invers (màxim): 16V, Tipus de díode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 70 @ 3V, 100MHz,

Cessió
MMBV105GLT1
ON Semiconductor

MMBV105GLT1

Stock Part: 7466

Capacitància @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 6.5, Estat de la relació de capacitat: C3/C25, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

Cessió
MV2105
ON Semiconductor

MV2105

Stock Part: 4830

Capacitància @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

Cessió
SVC230-TB-E
ON Semiconductor

SVC230-TB-E

Stock Part: 129142

Capacitància @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 1.75, Estat de la relació de capacitat: C2/C8, Voltatge: pic invers (màxim): 16V, Tipus de díode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

Cessió
MV2101
ON Semiconductor

MV2101

Stock Part: 7532

Capacitància @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

Cessió
MMVL109T1G
ON Semiconductor

MMVL109T1G

Stock Part: 7529

Capacitància @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 6.5, Estat de la relació de capacitat: C3/C25, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Cessió
MMBV2105LT1G
ON Semiconductor

MMBV2105LT1G

Stock Part: 7480

Capacitància @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

Cessió
MMVL809T1G
ON Semiconductor

MMVL809T1G

Stock Part: 7476

Capacitància @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 2.6, Estat de la relació de capacitat: C2/C8, Voltatge: pic invers (màxim): 20V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

Cessió
MMBV2108LT1
ON Semiconductor

MMBV2108LT1

Stock Part: 7527

Capacitància @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

Cessió
SVC270-TL-E
ON Semiconductor

SVC270-TL-E

Stock Part: 119447

Capacitància @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 1.75, Estat de la relació de capacitat: C2/C8, Voltatge: pic invers (màxim): 16V, Tipus de díode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

Cessió
SVC272-TL-E
ON Semiconductor

SVC272-TL-E

Stock Part: 157486

Capacitància @ Vr, F: 18.55pF @ 8V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 2.3, Estat de la relació de capacitat: C2/C8, Voltatge: pic invers (màxim): 16V, Tipus de díode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

Cessió
SVC383T-TL-E
ON Semiconductor

SVC383T-TL-E

Stock Part: 7528

Capacitància @ Vr, F: 27pF @ 6.5V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 24.5, Estat de la relació de capacitat: C1/C6.5, Voltatge: pic invers (màxim): 33V, Tipus de díode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 1V, 1MHz,

Cessió
MMBV109LT1G
ON Semiconductor

MMBV109LT1G

Stock Part: 7474

Capacitància @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 6.5, Estat de la relació de capacitat: C3/C25, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Cessió
MMBV2109LT1
ON Semiconductor

MMBV2109LT1

Stock Part: 7496

Capacitància @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Cessió
MMBV609LT1
ON Semiconductor

MMBV609LT1

Stock Part: 7446

Capacitància @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 2.4, Estat de la relació de capacitat: C3/C8, Voltatge: pic invers (màxim): 20V, Tipus de díode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 450 @ 3V, 50MHz,

Cessió
MMBV432LT1
ON Semiconductor

MMBV432LT1

Stock Part: 7461

Capacitància @ Vr, F: 48.1pF @ 2V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 2, Estat de la relació de capacitat: C2/C8, Voltatge: pic invers (màxim): 14V, Tipus de díode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

Cessió
MMBV2109LT1G
ON Semiconductor

MMBV2109LT1G

Stock Part: 7468

Capacitància @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Cessió
MV2109G
ON Semiconductor

MV2109G

Stock Part: 7495

Capacitància @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Cessió
MMVL2101T1G
ON Semiconductor

MMVL2101T1G

Stock Part: 7502

Capacitància @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

Cessió
MMBV2101LT1G
ON Semiconductor

MMBV2101LT1G

Stock Part: 7426

Capacitància @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

Cessió
MMBV2107LT1
ON Semiconductor

MMBV2107LT1

Stock Part: 4758

Capacitància @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

Cessió
MMBV109LT3
ON Semiconductor

MMBV109LT3

Stock Part: 7449

Capacitància @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 6.5, Estat de la relació de capacitat: C3/C25, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Cessió
MV2109RLRAG
ON Semiconductor

MV2109RLRAG

Stock Part: 7459

Capacitància @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Cessió
MMBV809LT1
ON Semiconductor

MMBV809LT1

Stock Part: 7482

Capacitància @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 2.6, Estat de la relació de capacitat: C2/C8, Voltatge: pic invers (màxim): 20V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

Cessió
MMBV2107LT1G
ON Semiconductor

MMBV2107LT1G

Stock Part: 7528

Capacitància @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Ràtio de capacitat: 3.2, Estat de la relació de capacitat: C2/C30, Voltatge: pic invers (màxim): 30V, Tipus de díode: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

Cessió