Transistors - IGBT - Mòduls | Productes de semiconductors discrets | 16

APT100GT120JR

Stock Part: 1736

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 123A, Potència: màx: 570W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT100GT60JRDQ4

Stock Part: 2045

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 148A, Potència: màx: 500W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGF90H60T3G

Stock Part: 1085

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 120A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT100GN120JDQ4

Stock Part: 1595

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 153A, Potència: màx: 446W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GF120JRDQ3

Stock Part: 1110

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 120A, Potència: màx: 521W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT100GT120JRDQ4

Stock Part: 1462

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 123A, Potència: màx: 570W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT60GF120JRDQ3

Stock Part: 910

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 149A, Potència: màx: 625W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT60GA60JD60

Stock Part: 2217

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 112A, Potència: màx: 356W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A,

Cessió

Microsemi Corporation

APT45GP120JDQ2

Stock Part: 1797

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 329W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL700SK120D3G

Stock Part: 657

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 840A, Potència: màx: 3000W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300SK60G

Stock Part: 974

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 1150W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300DU120G

Stock Part: 642

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 420A, Potència: màx: 1380W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT150DU120TG

Stock Part: 1106

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 690W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT35H120T3G

Stock Part: 1698

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 55A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100TA120TPG

Stock Part: 574

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 140A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ25H120T2G

Stock Part: 324

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 165W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT200A602G

Stock Part: 1730

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 290A, Potència: màx: 625W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300DA60D3G

Stock Part: 1121

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 940W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100DA60T1G

Stock Part: 2638

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300DU60G

Stock Part: 576

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 1150W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTCV60HM45BT3G

Stock Part: 1224

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT750U60D4G

Stock Part: 762

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1000A, Potència: màx: 2300W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 800A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT100A120TG

Stock Part: 1335

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 140A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGTQ100SK65T1G

Stock Part: 313

Configuració: Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGL240TL120G

Stock Part: 511

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 305A, Potència: màx: 1000W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ150A120TG

Stock Part: 304

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 250A, Potència: màx: 750W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT600DU60G

Stock Part: 478

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 700A, Potència: màx: 2300W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75SK120TG

Stock Part: 1741

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT600SK60G

Stock Part: 634

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 700A, Potència: màx: 2300W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT400U120D4G

Stock Part: 686

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600A, Potència: màx: 2250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT150DU120G

Stock Part: 806

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 690W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ100A65T1G

Stock Part: 1211

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 350W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300DA60G

Stock Part: 1016

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 1150W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGLQ200HR120G

Stock Part: 726

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300A, Potència: màx: 1000W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT75H60T1G

Stock Part: 1184

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Cessió

Microsemi Corporation

APTGT300DU170G

Stock Part: 302

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1660W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Cessió