Transistors: bipolars (BJT): individuals | Productes de semiconductors discrets | 11

2SA949-Y,ONK-1F(M

Stock Part: 6969

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

Stock Part: 7016

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

Stock Part: 6976

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

Stock Part: 6938

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

Stock Part: 6937

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

Stock Part: 6975

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

Stock Part: 6952

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

Stock Part: 7006

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-O(TE6,F,M)

Stock Part: 6949

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

Stock Part: 6969

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,T6WNLF(J

Stock Part: 5673

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 400V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

Stock Part: 6973

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 400V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

Stock Part: 7026

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

Stock Part: 6986

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

Stock Part: 6951

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

Stock Part: 6948

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

Stock Part: 6957

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(J

Stock Part: 6946

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

Stock Part: 6957

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

Stock Part: 6765

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

Stock Part: 6941

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

Stock Part: 7022

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 180V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

Stock Part: 6775

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 180V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

Stock Part: 6939

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 180V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

Stock Part: 7019

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 180V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

Stock Part: 6989

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 180V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

Stock Part: 6940

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 180V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

Stock Part: 7005

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

Stock Part: 6727

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

Stock Part: 7004

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

Stock Part: 6990

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

Stock Part: 6947

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

Stock Part: 6752

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

Stock Part: 6966

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

Stock Part: 6942

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

Stock Part: 6984

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió