Transistors: bipolars (BJT): individuals | Productes de semiconductors discrets | 11

2SC2229-Y,F(J

Stock Part: 6978

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(TE6,F,M)

Stock Part: 6957

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6SAN2FM

Stock Part: 7016

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6ONK1FM

Stock Part: 6992

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

Stock Part: 6990

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

Stock Part: 7022

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

Stock Part: 7021

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

Stock Part: 6703

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

Stock Part: 6975

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

Stock Part: 7020

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

Stock Part: 7022

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

Stock Part: 6954

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

Stock Part: 6948

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

Stock Part: 6990

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

Stock Part: 6947

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

Stock Part: 7035

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

Stock Part: 7005

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

Stock Part: 6999

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

Stock Part: 7004

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

Stock Part: 6754

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

Stock Part: 6942

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

Stock Part: 6995

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

Stock Part: 7000

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

Stock Part: 6996

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 2µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

Stock Part: 6949

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

Stock Part: 6958

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

Stock Part: 6947

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

Stock Part: 6980

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

Stock Part: 7012

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

Stock Part: 6968

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

Stock Part: 7012

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

Stock Part: 6956

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

Stock Part: 6980

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

Stock Part: 6968

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

Stock Part: 7009

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

Stock Part: 6956

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Cessió