Transistors: bipolars (BJT): individuals | Productes de semiconductors discrets | 11

2SA1020-Y(T6ND1,AF

Stock Part: 6998

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CANOFM

Stock Part: 6993

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CN,A,F

Stock Part: 6954

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(ND1,AF)

Stock Part: 6985

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CANOAF

Stock Part: 7006

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(HIT,F,M)

Stock Part: 6997

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,T6CSF(J

Stock Part: 6930

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(6MBH1,AF

Stock Part: 6930

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,F(J

Stock Part: 6938

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,CKF(J

Stock Part: 6931

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O(F,M)

Stock Part: 6950

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O(TE6,F,M)

Stock Part: 6965

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020A,NSEIKIF(J

Stock Part: 6974

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020A,T6CSF(J

Stock Part: 6928

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1013-O,T6MIBF(J

Stock Part: 6980

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 160V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-GR,LF(D

Stock Part: 6875

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-O(TE85L,F)

Stock Part: 6792

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1954-A(TE85L,F)

Stock Part: 6773

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-GR(TE85L,F

Stock Part: 6693

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-Y(TE85L,F)

Stock Part: 6762

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3138-Y(TE85L,F)

Stock Part: 6780

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 200V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154MFV-GR(TPL3

Stock Part: 6792

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5233BTE85LF

Stock Part: 6787

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1954BTE85LF

Stock Part: 6795

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116SU-Y,LF

Stock Part: 6677

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586SU-Y,LF

Stock Part: 6701

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y,LF

Stock Part: 6675

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1221-Y(Q)

Stock Part: 6572

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1225-Y(Q)

Stock Part: 6628

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 160V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-Y(TE6,F,M)

Stock Part: 6565

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2406-Y(F)

Stock Part: 6556

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 30µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1407A-Y(F)

Stock Part: 6562

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3074-Y(Q)

Stock Part: 6619

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3074-O(Q)

Stock Part: 6562

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-O(TPE6,F)

Stock Part: 6533

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-O(TE6,F,M)

Stock Part: 6581

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió