Transistors: bipolars (BJT): individuals | Productes de semiconductors discrets | 11

2SB1457(T6DW,F,M)

Stock Part: 5232

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEMBJF(J

Stock Part: 6608

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR,A,F

Stock Part: 5272

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-Y(TPL3)

Stock Part: 5238

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5439(F)

Stock Part: 5233

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 8A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 450V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 640mA, 3.2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CT-Y(TPL3)

Stock Part: 5083

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-GR,LF

Stock Part: 184025

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-GR,LF

Stock Part: 129870

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-Y,LF

Stock Part: 105477

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-BL,LF

Stock Part: 145497

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-GR,LF

Stock Part: 132736

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-GR,LF

Stock Part: 156237

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-Y,LF

Stock Part: 105262

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-B,LF

Stock Part: 114013

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4117-BL,LF

Stock Part: 141692

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-GR,LF

Stock Part: 150771

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-A,LF

Stock Part: 149461

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721OTE85LF

Stock Part: 100270

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 300V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213-A(TE85L,F)

Stock Part: 118674

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324-BL(TE85L,F

Stock Part: 171156

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312GRTE85LF

Stock Part: 4810

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3904,LM

Stock Part: 104340

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA0002(Q)

Stock Part: 27295

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 18A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 160V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC0002(Q)

Stock Part: 27908

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 18A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 160V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC012(Q)

Stock Part: 96245

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 375V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6503(TE85L,F,M)

Stock Part: 124

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3906,LM

Stock Part: 192103

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC008(Q)

Stock Part: 118518

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 285V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC857B,LM

Stock Part: 174487

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 30nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA003,L1NQ(O

Stock Part: 186338

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC5200(Q)

Stock Part: 25341

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 15A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA1943(Q)

Stock Part: 25369

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 15A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA004B,Q

Stock Part: 146507

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 160V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(M

Stock Part: 7058

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(J

Stock Part: 7067

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC847B,LM

Stock Part: 142061

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 30nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió