Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

Casa
Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

TPCL4202(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4202(TE85L,F)

Stock Part: 2949

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Cessió

TPCF8304(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8304(TE85L,F,M

Stock Part: 2938

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 1.6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 1mA,

Cessió

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Stock Part: 2912

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 800mA (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF(D

Stock Part: 2967

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N68NU,LF

Stock Part: 16268

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFU,LF

Stock Part: 9923

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 100µA,

Cessió

SSM6N42FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N42FE(TE85L,F)

Stock Part: 2976

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 800mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R,LF

Stock Part: 9939

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 100µA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FE,LM

Stock Part: 172252

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 180mA, 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N67NU,LF

Stock Part: 9963

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 39.1 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFE,LF

Stock Part: 13256

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 100µA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE,LM

Stock Part: 173905

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

SSM6P15FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P15FE(TE85L,F)

Stock Part: 13232

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.7V @ 100µA,

Cessió

SSM6N37CTD(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37CTD(TPL3)

Stock Part: 2957

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 250mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

SSM6P41FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P41FE(TE85L,F)

Stock Part: 13283

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 720mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

TPC8405(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8405(TE12L,Q,M)

Stock Part: 3098

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 1mA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N357R,LF

Stock Part: 16211

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 650mA (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 1mA,

Cessió

SSM6P35FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE(TE85L,F)

Stock Part: 121978

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

SSM6L35FU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FU(TE85L,F)

Stock Part: 156233

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 180mA, 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L61NU,LF

Stock Part: 154751

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF

Stock Part: 3013

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Cessió

SSM6N7002BFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU,LF

Stock Part: 154781

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.1V @ 250µA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N61NU,LF

Stock Part: 117701

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P49NU,LF

Stock Part: 154268

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 1mA,

Cessió

SSM6N16FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N16FUTE85LF

Stock Part: 9999

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.1V @ 100µA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L36FE,LM

Stock Part: 107404

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA, 330mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

TPCP8203(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8203(TE85L,F)

Stock Part: 2780

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.7A, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

SSM6N7002BFE(T5L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE(T5L,F

Stock Part: 2844

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.1V @ 250µA,

Cessió

TPC8211(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8211(TE12L,Q,M)

Stock Part: 2801

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

TPC8213-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8213-H(TE12LQ,M

Stock Part: 2813

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.3V @ 1mA,

Cessió

TPC8208(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q)

Stock Part: 2694

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Cessió

TPCF8201(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8201(TE85L,F,M

Stock Part: 2756

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Cessió

TPC8212-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8212-H(TE12LQ,M

Stock Part: 2781

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.3V @ 1mA,

Cessió

TPCP8401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8401(TE85L,F)

Stock Part: 3345

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, 5.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.1V @ 100µA,

Cessió

TPC8208(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q,M)

Stock Part: 2829

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L)

Stock Part: 2650

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Cessió

66

«
1
2
»