Transistors: bipolars (BJT): individuals | Productes de semiconductors discrets | 11

2SA1943N(S1,E,S)

Stock Part: 30936

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 15A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-Y,LF

Stock Part: 133517

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-GR,L3F

Stock Part: 125949

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-OTE85LF

Stock Part: 103394

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324GRTE85LF

Stock Part: 72

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CTGRTPL3

Stock Part: 154

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-GR(TE85L,F

Stock Part: 155

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1182-Y,LF

Stock Part: 105735

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-GR,LF

Stock Part: 114972

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-BL,LF

Stock Part: 141073

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-Y,LF

Stock Part: 182069

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1298-Y,LF

Stock Part: 110660

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-BL,LF

Stock Part: 194721

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-O,LF

Stock Part: 146528

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312-BL(TE85L,F

Stock Part: 123

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-Y,LF

Stock Part: 160315

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB906-Y(TE16L1,NQ

Stock Part: 107

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-Y,LF

Stock Part: 100369

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213BTE85LF

Stock Part: 179590

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-BL,LF

Stock Part: 124685

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-GR,LF

Stock Part: 122917

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-Y,LF

Stock Part: 134403

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026MFVGR,L3F

Stock Part: 189199

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-GR,LF

Stock Part: 172547

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6076(TE16L1,NV)

Stock Part: 135662

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-BL,LF

Stock Part: 106998

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5242-O(Q)

Stock Part: 515

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 15A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1962-O(Q)

Stock Part: 22703

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 15A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1943-O(Q)

Stock Part: 22767

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 15A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200N(S1,E,S)

Stock Part: 30915

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 15A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721RTE85LF

Stock Part: 7061

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 300V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6NSF(J

Stock Part: 7009

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6WNLF(J

Stock Part: 7019

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(M

Stock Part: 7049

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(M

Stock Part: 7066

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(J

Stock Part: 6988

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Cessió