Transistors: bipolars (BJT): individuals | Productes de semiconductors discrets | 11

2SA1930(Q,M)

Stock Part: 150987

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 180V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1887(F)

Stock Part: 6584

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 10A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1244-Y(Q)

Stock Part: 6565

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1242-Y(Q)

Stock Part: 6708

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,T6F(J

Stock Part: 6350

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3328-Y,HOF(M

Stock Part: 6392

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,WNLF(J

Stock Part: 6324

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y(T6DNS,FM

Stock Part: 6336

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 160V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,USNHF(M

Stock Part: 6349

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND1,AF)

Stock Part: 6343

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-GR,LF

Stock Part: 140733

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3265-Y,LF

Stock Part: 142540

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-O,LF

Stock Part: 116579

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-O(TE85L,F)

Stock Part: 147650

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-Y,LF

Stock Part: 193749

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y, LF(D

Stock Part: 5659

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793(F,M)

Stock Part: 163735

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200-O(Q)

Stock Part: 22720

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 15A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 5µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(F,M)

Stock Part: 96385

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-O(TE85L,F)

Stock Part: 166553

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-GR,LF

Stock Part: 198197

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-Y,LF

Stock Part: 109658

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-O(TE85L,F)

Stock Part: 189229

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5232BTE85LF

Stock Part: 5292

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-BL(TE85L,F

Stock Part: 6617

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVBTPL3Z

Stock Part: 123818

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVATPL3Z

Stock Part: 148939

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5549,T6F(J

Stock Part: 5308

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 400V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 25mA, 200mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 40mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5459(TOJS,Q,M)

Stock Part: 5238

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 400V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 300mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3672-O(T2ASH,FM

Stock Part: 5234

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 300V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(J

Stock Part: 5270

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,WNLF(J

Stock Part: 5274

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 230V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4604,T6F(J

Stock Part: 5285

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6KMATFM

Stock Part: 5224

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MITIFM

Stock Part: 5266

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MIT1FM

Stock Part: 5302

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió