Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Matrius

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Matrius
FFSH30120ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH30120ADN-F155

Stock Part: 2973

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRB41H100CT-1G
ON Semiconductor

MBRB41H100CT-1G

Stock Part: 65856

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFA60UP20DNTU
ON Semiconductor

FFA60UP20DNTU

Stock Part: 47322

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSB20120CTT4G
ON Semiconductor

NTSB20120CTT4G

Stock Part: 4276

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSB30100CT-1G
ON Semiconductor

NTSB30100CT-1G

Stock Part: 112353

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MURHF860CTG
ON Semiconductor

MURHF860CTG

Stock Part: 37237

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.8V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR1610CTG
ON Semiconductor

MUR1610CTG

Stock Part: 84177

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVBB60H100CTT4G
ON Semiconductor

NRVBB60H100CTT4G

Stock Part: 35089

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2090CTG
ON Semiconductor

MBR2090CTG

Stock Part: 83266

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RHRG1560CC-F085
ON Semiconductor

RHRG1560CC-F085

Stock Part: 2950

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FYP2006DNTU
ON Semiconductor

FYP2006DNTU

Stock Part: 123509

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 710mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSJ20U100CTG
ON Semiconductor

NTSJ20U100CTG

Stock Part: 178885

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRB3045CT-1G
ON Semiconductor

MBRB3045CT-1G

Stock Part: 166844

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRD650CTG
ON Semiconductor

MBRD650CTG

Stock Part: 92698

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFA60UP30DNTU
ON Semiconductor

FFA60UP30DNTU

Stock Part: 39669

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFPF20UP30DNTU
ON Semiconductor

FFPF20UP30DNTU

Stock Part: 40090

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR41H100CTG
ON Semiconductor

MBR41H100CTG

Stock Part: 45283

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR4050PT
ON Semiconductor

MBR4050PT

Stock Part: 23867

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSB20120CT-1G
ON Semiconductor

NTSB20120CT-1G

Stock Part: 80481

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR3040WTG
ON Semiconductor

MUR3040WTG

Stock Part: 22744

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF20200CTG
ON Semiconductor

MBRF20200CTG

Stock Part: 41383

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSV20U100CTG
ON Semiconductor

NTSV20U100CTG

Stock Part: 74735

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBRB2545CTG
ON Semiconductor

SBRB2545CTG

Stock Part: 1699

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF30L60CTG
ON Semiconductor

MBRF30L60CTG

Stock Part: 154749

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FEP16JTA
ON Semiconductor

FEP16JTA

Stock Part: 4487

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MURP20020CTG
ON Semiconductor

MURP20020CTG

Stock Part: 4402

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SNRVBD660CTT4G
ON Semiconductor

SNRVBD660CTT4G

Stock Part: 146139

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSB30U100CTT4G
ON Semiconductor

NTSB30U100CTT4G

Stock Part: 140333

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SB80W06T-TL-H
ON Semiconductor

SB80W06T-TL-H

Stock Part: 178726

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSDEMN11XV6T5G
ON Semiconductor

NSDEMN11XV6T5G

Stock Part: 4484

Configuració del díode: 2 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
NTSJ2080CTG
ON Semiconductor

NTSJ2080CTG

Stock Part: 191595

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 830mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRB2545CTT4G
ON Semiconductor

MBRB2545CTT4G

Stock Part: 84490

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRB2535CTLT4G
ON Semiconductor

MBRB2535CTLT4G

Stock Part: 57130

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 12.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 12.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTST40120CTG
ON Semiconductor

NTST40120CTG

Stock Part: 52315

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 910mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSVMMBD353LT1G
ON Semiconductor

NSVMMBD353LT1G

Stock Part: 149921

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 7V, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 10mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR20L60CTG
ON Semiconductor

MBR20L60CTG

Stock Part: 178008

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió