Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Matrius

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Matrius
NRVHP8H200MFDT1G
ON Semiconductor

NRVHP8H200MFDT1G

Stock Part: 67

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 910mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBAS21DW5T3G
ON Semiconductor

SBAS21DW5T3G

Stock Part: 126915

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
RURD620CCS9A-F085P
ON Semiconductor

RURD620CCS9A-F085P

Stock Part: 46

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVHP420MFDT1G
ON Semiconductor

NRVHP420MFDT1G

Stock Part: 119

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SSRD8620CTRG-VF01
ON Semiconductor

SSRD8620CTRG-VF01

Stock Part: 188736

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBRD81035CTLG-VF01
ON Semiconductor

SBRD81035CTLG-VF01

Stock Part: 73951

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVBB20100CTT4G
ON Semiconductor

NRVBB20100CTT4G

Stock Part: 51931

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBAT54ALT3G
ON Semiconductor

SBAT54ALT3G

Stock Part: 190167

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
NRVBB40L45CTT4G
ON Semiconductor

NRVBB40L45CTT4G

Stock Part: 88370

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBRV640VCTT4G
ON Semiconductor

SBRV640VCTT4G

Stock Part: 146113

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBAS21DW5T1G
ON Semiconductor

SBAS21DW5T1G

Stock Part: 193702

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
NRVHP820MFDT1G
ON Semiconductor

NRVHP820MFDT1G

Stock Part: 27

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVHP820MFDWFT3G
ON Semiconductor

NRVHP820MFDWFT3G

Stock Part: 92

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFB20UP20DN-F085
ON Semiconductor

FFB20UP20DN-F085

Stock Part: 62

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SNRVUD620CTT4G
ON Semiconductor

SNRVUD620CTT4G

Stock Part: 123608

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVHP820MFDWFT1G
ON Semiconductor

NRVHP820MFDWFT1G

Stock Part: 61

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBAV70LT1G
ON Semiconductor

SBAV70LT1G

Stock Part: 163001

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MBRD660CTG
ON Semiconductor

MBRD660CTG

Stock Part: 81424

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVHP820MFDT3G
ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

Stock Part: 69

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SURHB8840CTT4G
ON Semiconductor

SURHB8840CTT4G

Stock Part: 50175

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVBB2535CTLT4G
ON Semiconductor

NRVBB2535CTLT4G

Stock Part: 39195

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 12.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 12.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSVBAV70TT3G
ON Semiconductor

NSVBAV70TT3G

Stock Part: 159345

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 50mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
NSR30CM3T5G
ON Semiconductor

NSR30CM3T5G

Stock Part: 136653

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
NRVSRD620VCTT4G
ON Semiconductor

NRVSRD620VCTT4G

Stock Part: 156178

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVBD1035CTLT4G
ON Semiconductor

NRVBD1035CTLT4G

Stock Part: 109386

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVSRD620VCTT4RG
ON Semiconductor

NRVSRD620VCTT4RG

Stock Part: 167752

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSV30H100ECTG
ON Semiconductor

NTSV30H100ECTG

Stock Part: 185219

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SMMBD2835LT1G
ON Semiconductor

SMMBD2835LT1G

Stock Part: 197389

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MBRB60H100CTT4G
ON Semiconductor

MBRB60H100CTT4G

Stock Part: 54232

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVBD660CTRLG-VF01
ON Semiconductor

NRVBD660CTRLG-VF01

Stock Part: 158073

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBAV70LT3G
ON Semiconductor

SBAV70LT3G

Stock Part: 137903

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SBRB2545CTT4G
ON Semiconductor

SBRB2545CTT4G

Stock Part: 65956

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFH30US30DN
ON Semiconductor

FFH30US30DN

Stock Part: 18607

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSB40100CTT4G
ON Semiconductor

NTSB40100CTT4G

Stock Part: 97303

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVHP8H200MFDWFT1G
ON Semiconductor

NRVHP8H200MFDWFT1G

Stock Part: 78

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 910mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRB20H100CTT4G
ON Semiconductor

MBRB20H100CTT4G

Stock Part: 99761

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 770mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió