Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Matrius

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Matrius
NRVBB30H60CTT4G
ON Semiconductor

NRVBB30H60CTT4G

Stock Part: 73675

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FYPF2006DNTU
ON Semiconductor

FYPF2006DNTU

Stock Part: 120469

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 710mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSB30120CTG
ON Semiconductor

NTSB30120CTG

Stock Part: 73997

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.08V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSB30U100CTG
ON Semiconductor

NTSB30U100CTG

Stock Part: 101770

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RHRG1560CC
ON Semiconductor

RHRG1560CC

Stock Part: 22990

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR60L45WTG
ON Semiconductor

MBR60L45WTG

Stock Part: 31157

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRTSV30H120CTG
ON Semiconductor

NRTSV30H120CTG

Stock Part: 99323

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 7.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFA60UA60DN
ON Semiconductor

FFA60UA60DN

Stock Part: 63339

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FYPF2004DNTU
ON Semiconductor

FYPF2004DNTU

Stock Part: 146633

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 670mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF20L60CTG
ON Semiconductor

MBRF20L60CTG

Stock Part: 71832

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FYP2010DNTU
ON Semiconductor

FYP2010DNTU

Stock Part: 58656

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 770mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSJ20120CTG
ON Semiconductor

NTSJ20120CTG

Stock Part: 186599

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR60L45CTG
ON Semiconductor

MBR60L45CTG

Stock Part: 43925

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSB40100CT-1G
ON Semiconductor

NTSB40100CT-1G

Stock Part: 74104

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSJ30100CTG
ON Semiconductor

NTSJ30100CTG

Stock Part: 184505

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTST40100CTG
ON Semiconductor

NTST40100CTG

Stock Part: 85353

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSV30120CTG
ON Semiconductor

NTSV30120CTG

Stock Part: 184085

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.18V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSB20U100CT-1G
ON Semiconductor

NTSB20U100CT-1G

Stock Part: 157651

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2550CT
ON Semiconductor

MBR2550CT

Stock Part: 34625

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 12.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 12.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSB40100CTG
ON Semiconductor

NTSB40100CTG

Stock Part: 97239

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF10H150CTG
ON Semiconductor

MBRF10H150CTG

Stock Part: 85174

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFSH20120ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH20120ADN-F155

Stock Part: 2915

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR3060PT
ON Semiconductor

MBR3060PT

Stock Part: 3256

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRB2060CTT4G
ON Semiconductor

MBRB2060CTT4G

Stock Part: 53373

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR30H30CTG
ON Semiconductor

MBR30H30CTG

Stock Part: 101861

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 480mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVBD660CTG-VF01
ON Semiconductor

NRVBD660CTG-VF01

Stock Part: 158106

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTST60100CTG
ON Semiconductor

NTST60100CTG

Stock Part: 65554

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTST30120CTG
ON Semiconductor

NTST30120CTG

Stock Part: 154950

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.08V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSJ3080CTG
ON Semiconductor

NTSJ3080CTG

Stock Part: 175636

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MURB1620CTRT4G
ON Semiconductor

MURB1620CTRT4G

Stock Part: 80200

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVUB1660CTT4G
ON Semiconductor

NRVUB1660CTT4G

Stock Part: 40099

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRB41H100CTT4G
ON Semiconductor

MBRB41H100CTT4G

Stock Part: 62577

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFSH4065ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH4065ADN-F155

Stock Part: 2927

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 22A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió
MBRP3045NTU
ON Semiconductor

MBRP3045NTU

Stock Part: 69150

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FYP1010DNTU
ON Semiconductor

FYP1010DNTU

Stock Part: 78822

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MURHB840CTG
ON Semiconductor

MURHB840CTG

Stock Part: 45517

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió