Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Matrius

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Matrius
MBR20100CTG
ON Semiconductor

MBR20100CTG

Stock Part: 4485

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FYPF2010DNTU
ON Semiconductor

FYPF2010DNTU

Stock Part: 56359

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 770mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MMBD2835LT1G
ON Semiconductor

MMBD2835LT1G

Stock Part: 179270

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
NSDEMP11XV6T1G
ON Semiconductor

NSDEMP11XV6T1G

Stock Part: 199244

Configuració del díode: 2 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MSRD620CTT4RG
ON Semiconductor

MSRD620CTT4RG

Stock Part: 198828

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBAW56LT1G
ON Semiconductor

SBAW56LT1G

Stock Part: 167855

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 70V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MMBD1505A
ON Semiconductor

MMBD1505A

Stock Part: 149424

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
DCB010-TB-E
ON Semiconductor

DCB010-TB-E

Stock Part: 4220

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SBS822-S-TL-W
ON Semiconductor

SBS822-S-TL-W

Stock Part: 185178

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 460mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
DAP222M3T5G
ON Semiconductor

DAP222M3T5G

Stock Part: 199252

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
NTSW60200CTG
ON Semiconductor

NTSW60200CTG

Stock Part: 4459

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.9V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSVBAV70DXV6T5G
ON Semiconductor

NSVBAV70DXV6T5G

Stock Part: 110880

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
NTSB40200CTG
ON Semiconductor

NTSB40200CTG

Stock Part: 4226

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.45V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
DJ85_FYPF1545
ON Semiconductor

DJ85_FYPF1545

Stock Part: 4306

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSDEMP11XV6T5G
ON Semiconductor

NSDEMP11XV6T5G

Stock Part: 198998

Configuració del díode: 2 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SM1MA142WAT1G
ON Semiconductor

SM1MA142WAT1G

Stock Part: 192587

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SB80W06T-P-TL-H
ON Semiconductor

SB80W06T-P-TL-H

Stock Part: 4188

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRB1545CTT4G
ON Semiconductor

MBRB1545CTT4G

Stock Part: 106434

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 7.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2535CTLG
ON Semiconductor

MBR2535CTLG

Stock Part: 42865

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 12.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 12.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
DCC010-TB-E
ON Semiconductor

DCC010-TB-E

Stock Part: 4226

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MBRB20100CTG
ON Semiconductor

MBRB20100CTG

Stock Part: 42831

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR60H100CTG
ON Semiconductor

MBR60H100CTG

Stock Part: 39436

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR0115CQP6T5G
ON Semiconductor

NSR0115CQP6T5G

Stock Part: 156757

Configuració del díode: 2 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 15V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 180mV @ 10µA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBS822-S-TL-H
ON Semiconductor

SBS822-S-TL-H

Stock Part: 4162

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 460mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSB40200CTT4G
ON Semiconductor

NTSB40200CTT4G

Stock Part: 4168

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.45V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBE805-S-TL-W
ON Semiconductor

SBE805-S-TL-W

Stock Part: 156425

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
DCG010-TL-E
ON Semiconductor

DCG010-TL-E

Stock Part: 4259

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
FFSH10120ADN_F155
ON Semiconductor

FFSH10120ADN_F155

Stock Part: 4391

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A (DC), Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió
MBRB20200CTG
ON Semiconductor

MBRB20200CTG

Stock Part: 45770

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
DCA010-TB-E
ON Semiconductor

DCA010-TB-E

Stock Part: 4190

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 150mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SBR200-16JS
ON Semiconductor

SBR200-16JS

Stock Part: 3954

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 160V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFA60U60DNTU
ON Semiconductor

FFA60U60DNTU

Stock Part: 3904

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFPF20UP20DPTU
ON Semiconductor

FFPF20UP20DPTU

Stock Part: 3902

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBT80-10J
ON Semiconductor

SBT80-10J

Stock Part: 4026

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SB80W06T-H
ON Semiconductor

SB80W06T-H

Stock Part: 105282

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBT250-04Y-DL-E
ON Semiconductor

SBT250-04Y-DL-E

Stock Part: 4071

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió