Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Matrius

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Matrius
SBAT54CTT1G
ON Semiconductor

SBAT54CTT1G

Stock Part: 195930

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SBE808-TL-W
ON Semiconductor

SBE808-TL-W

Stock Part: 187864

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 15V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 540mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR30H100CTG
ON Semiconductor

MBR30H100CTG

Stock Part: 55932

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBAT54AWT1G
ON Semiconductor

SBAT54AWT1G

Stock Part: 167059

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MBR1550CT
ON Semiconductor

MBR1550CT

Stock Part: 4482

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRD660CTT4G
ON Semiconductor

MBRD660CTT4G

Stock Part: 144488

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR20100CTTU
ON Semiconductor

MBR20100CTTU

Stock Part: 66058

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
DAP222G
ON Semiconductor

DAP222G

Stock Part: 161417

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SM1MA151WKT1G
ON Semiconductor

SM1MA151WKT1G

Stock Part: 198760

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SBX201C-TB-E
ON Semiconductor

SBX201C-TB-E

Stock Part: 195621

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 2V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 50mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 320mV @ 1mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MBRD650CTT4G
ON Semiconductor

MBRD650CTT4G

Stock Part: 144490

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVUD620CTG-VF01
ON Semiconductor

NRVUD620CTG-VF01

Stock Part: 167182

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSVM1MA152WAT1G
ON Semiconductor

NSVM1MA152WAT1G

Stock Part: 154777

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MBR4060PT
ON Semiconductor

MBR4060PT

Stock Part: 9695

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MMBD717LT1G
ON Semiconductor

MMBD717LT1G

Stock Part: 174845

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 370mV @ 1mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSVBAV23CLT1G
ON Semiconductor

NSVBAV23CLT1G

Stock Part: 109911

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR15SDW1T2G
ON Semiconductor

NSR15SDW1T2G

Stock Part: 4506

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 15V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MBRF20100CTG
ON Semiconductor

MBRF20100CTG

Stock Part: 70411

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR620CT
ON Semiconductor

MUR620CT

Stock Part: 4455

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBRB20200CTT4G
ON Semiconductor

SBRB20200CTT4G

Stock Part: 60465

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR620CTG
ON Semiconductor

MUR620CTG

Stock Part: 114460

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR1620CTG
ON Semiconductor

MUR1620CTG

Stock Part: 79665

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRD1035CTL
ON Semiconductor

MBRD1035CTL

Stock Part: 4505

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FC903-TR-E
ON Semiconductor

FC903-TR-E

Stock Part: 4486

Configuració del díode: 3 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SBT700-06RH-1E
ON Semiconductor

SBT700-06RH-1E

Stock Part: 24764

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 70A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 30A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBAS16DXV6T1G
ON Semiconductor

SBAS16DXV6T1G

Stock Part: 113688

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
FFPF20UP20DNTU
ON Semiconductor

FFPF20UP20DNTU

Stock Part: 148098

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SB05W05C-TB-E
ON Semiconductor

SB05W05C-TB-E

Stock Part: 105360

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR1620CTRG
ON Semiconductor

MUR1620CTRG

Stock Part: 43882

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSB30100CTG
ON Semiconductor

NTSB30100CTG

Stock Part: 69099

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSV30100CTG
ON Semiconductor

NTSV30100CTG

Stock Part: 77146

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR1660CTG
ON Semiconductor

MUR1660CTG

Stock Part: 53919

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFAF60U60DNTU
ON Semiconductor

FFAF60U60DNTU

Stock Part: 4483

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
DAP222T1
ON Semiconductor

DAP222T1

Stock Part: 4439

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SBAV199LT1G
ON Semiconductor

SBAV199LT1G

Stock Part: 186537

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 70V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 215mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTSV20100CTG
ON Semiconductor

NTSV20100CTG

Stock Part: 89328

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió