Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Matrius

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Matrius
SBE812-TL-E
ON Semiconductor

SBE812-TL-E

Stock Part: 4047

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MMBD1504A_D87Z
ON Semiconductor

MMBD1504A_D87Z

Stock Part: 3886

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SBT150-06J
ON Semiconductor

SBT150-06J

Stock Part: 3967

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBRB81545CTT4G
ON Semiconductor

SBRB81545CTT4G

Stock Part: 4018

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 7.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBT250-06J
ON Semiconductor

SBT250-06J

Stock Part: 3955

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
M1MA152WKT1G
ON Semiconductor

M1MA152WKT1G

Stock Part: 193660

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MMBD1204_D87Z
ON Semiconductor

MMBD1204_D87Z

Stock Part: 3897

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SBR160-10J
ON Semiconductor

SBR160-10J

Stock Part: 3975

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBT80-10Y-DL-E
ON Semiconductor

SBT80-10Y-DL-E

Stock Part: 4016

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBT250-04J
ON Semiconductor

SBT250-04J

Stock Part: 4049

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBT80-10JS
ON Semiconductor

SBT80-10JS

Stock Part: 4404

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBT250-04L
ON Semiconductor

SBT250-04L

Stock Part: 4078

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFP12UP20DNTU
ON Semiconductor

FFP12UP20DNTU

Stock Part: 3847

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFP20UP20DNTU
ON Semiconductor

FFP20UP20DNTU

Stock Part: 3881

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF20L80CTG
ON Semiconductor

MBRF20L80CTG

Stock Part: 3876

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 670mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBS818-TL-E
ON Semiconductor

SBS818-TL-E

Stock Part: 3996

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSVDAN222T1G
ON Semiconductor

NSVDAN222T1G

Stock Part: 154831

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SBT100-16LS
ON Semiconductor

SBT100-16LS

Stock Part: 4089

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 160V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBR100-10JS
ON Semiconductor

SBR100-10JS

Stock Part: 4076

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SB80W10T-H
ON Semiconductor

SB80W10T-H

Stock Part: 167243

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MMBD1205_D87Z
ON Semiconductor

MMBD1205_D87Z

Stock Part: 4476

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SBR100-10J
ON Semiconductor

SBR100-10J

Stock Part: 3959

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR20L80CTG
ON Semiconductor

MBR20L80CTG

Stock Part: 3874

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 670mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFPF12UP20DPTU
ON Semiconductor

FFPF12UP20DPTU

Stock Part: 3910

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFPF60SB60DSTU
ON Semiconductor

FFPF60SB60DSTU

Stock Part: 3903

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.6V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBT80-04J
ON Semiconductor

SBT80-04J

Stock Part: 4044

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBR200-10JS
ON Semiconductor

SBR200-10JS

Stock Part: 4072

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR30H80CTG
ON Semiconductor

MBR30H80CTG

Stock Part: 3944

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 780mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBR100-16JS
ON Semiconductor

SBR100-16JS

Stock Part: 4483

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 160V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBT150-04J
ON Semiconductor

SBT150-04J

Stock Part: 4001

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBE813-TL-E
ON Semiconductor

SBE813-TL-E

Stock Part: 4077

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MMBD2838LT1G
ON Semiconductor

MMBD2838LT1G

Stock Part: 172896

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
SBT80-06LS
ON Semiconductor

SBT80-06LS

Stock Part: 3973

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBT150-04Y-DL-E
ON Semiconductor

SBT150-04Y-DL-E

Stock Part: 3994

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBE807-TL-E
ON Semiconductor

SBE807-TL-E

Stock Part: 3998

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 530mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBA120-18J
ON Semiconductor

SBA120-18J

Stock Part: 1596

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 180V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió