Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 18

RRE07VSM4STR

Stock Part: 115939

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 700mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 700mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RSX201LAM30TR

Stock Part: 9970

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 440mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB160M-40TR

Stock Part: 340

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RLS-73TE-11

Stock Part: 317

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 130mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RF505B6STL

Stock Part: 9918

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RLS4448TE-11

Stock Part: 273

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RLS245TE-11

Stock Part: 262

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 220V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RLS4150TE-11

Stock Part: 295

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB721Q-40T-77

Stock Part: 338

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 370mV @ 1mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS215AGC

Stock Part: 9902

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 15A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB441Q-40T-77

Stock Part: 331

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS210KGC

Stock Part: 7464

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS208AMC

Stock Part: 16304

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB520S-40TE61

Stock Part: 142694

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB520CS-30T2RA

Stock Part: 112827

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 10mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB051MM-2YTR

Stock Part: 139624

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 460mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RR268MM-600TR

Stock Part: 24389

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB521ZS-30T2R

Stock Part: 164457

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 370mV @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR2LAM60BTFTR

Stock Part: 16220

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB520SM-30T2R

Stock Part: 177498

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB521G-30T2R

Stock Part: 123241

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 350mV @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB160LAM-40TR

Stock Part: 102598

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB551V-30TE-17

Stock Part: 140984

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR1LAM30ATR

Stock Part: 150201

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 480mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB050LAM-60TR

Stock Part: 16261

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 560mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR2MM30ATR

Stock Part: 142864

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 530mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS206AMC

Stock Part: 20199

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFN2LAM6STR

Stock Part: 163012

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS110AMC

Stock Part: 9535

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB400DT146

Stock Part: 189376

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RRU1LAM4STR

Stock Part: 181166

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 800mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 400ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB521CM-30T2R

Stock Part: 188610

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 350mV @ 10mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR2LAM60ATFTR

Stock Part: 16264

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS210AJTLL

Stock Part: 28717

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB168VYM-60FHTR

Stock Part: 16238

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 6.15ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB161SS-20T2R

Stock Part: 172697

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 420mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió