Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius | Productes de semiconductors discrets | 5

BSM180D12P3C007

Stock Part: 168

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Vgs (th) (màx.) @ Id: 5.6V @ 50mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

BSM300D12P2E001

Stock Part: 201

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 300A (Tc), Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 68mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

BSM080D12P2C008

Stock Part: 263

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 13.2mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

BSM120D12P2C005

Stock Part: 258

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.7V @ 22mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

BSM180D12P2C101

Stock Part: 243

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 204A (Tc), Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 35.2mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

VT6J1T2CR

Stock Part: 168368

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 100µA,

Cessió

Rohm Semiconductor

EM6K31T2R

Stock Part: 181152

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 250mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.3V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

EM6K31GT2R

Stock Part: 153168

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 250mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.3V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

VT6M1T2CR

Stock Part: 125142

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 100µA,

Cessió

Rohm Semiconductor

EM6J1T2R

Stock Part: 109230

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 100µA,

Cessió

Rohm Semiconductor

TT8J13TCR

Stock Part: 181566

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

US6J11TR

Stock Part: 145887

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

TT8J11TCR

Stock Part: 175857

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M24FRATB

Stock Part: 109

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 45V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, 63 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M51FRATB

Stock Part: 152

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), 2.5A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

TT8M3TR

Stock Part: 154779

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A, 2.4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

HP8KA1TB

Stock Part: 113065

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 10mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K22FRATB

Stock Part: 87

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 45V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K33FRATB

Stock Part: 149

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

TT8K1TR

Stock Part: 171251

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

TT8K11TCR

Stock Part: 195555

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 71 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1A,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K52FRATB

Stock Part: 115

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

TT8J3TR

Stock Part: 193760

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K32FRATB

Stock Part: 80

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

HP8S36TB

Stock Part: 130641

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 27A, 80A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 32A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

US6K1TR

Stock Part: 126806

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

US6M2GTR

Stock Part: 127

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A, 1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

HS8K11TB

Stock Part: 188805

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A, 11A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

TT8K2TR

Stock Part: 164928

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

TT8M2TR

Stock Part: 126279

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M5FRATB

Stock Part: 154

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 7A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M6FRATB

Stock Part: 153

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), 3.5A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M21FRATB

Stock Part: 70

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 45V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 4A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K24FRATB

Stock Part: 123

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 45V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

TT8J2TR

Stock Part: 170382

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

US6K2TR

Stock Part: 124293

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió