Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 18

RB063L-30TE25

Stock Part: 164735

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 395mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB058L-60TE25

Stock Part: 185183

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 640mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB050L-60DDTE25

Stock Part: 105388

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 560mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR5L30BTE25

Stock Part: 183305

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 490mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RF301BM2SFHTL

Stock Part: 8699

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 930mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB078BM30STL

Stock Part: 115276

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB075BM40STL

Stock Part: 171749

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB058L-40TE25

Stock Part: 168587

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RFN20TF6S

Stock Part: 79229

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFUS20NS6STL

Stock Part: 57558

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.8V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB053L-30TE25

Stock Part: 190747

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 420mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB050LAM-30TFTR

Stock Part: 8719

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RFN2L6STE25

Stock Part: 162758

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB521CS-30T2RA

Stock Part: 187462

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 350mV @ 10mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RFN5BM2STL

Stock Part: 151422

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB521S-30TE61

Stock Part: 153145

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFN10BM3SFHTL

Stock Part: 4953

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 350V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFNL5BM6STL

Stock Part: 187449

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFN5BM6STL

Stock Part: 189604

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR5L40ATE25

Stock Part: 183306

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 530mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB521CS-30T2R

Stock Part: 166980

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 350mV @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB068LAM100TFTR

Stock Part: 164207

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 810mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB160MM-30TR

Stock Part: 189747

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 480mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB060LAM-40TFTR

Stock Part: 8662

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB058LAM100TFTR

Stock Part: 8598

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB068MM-40TR

Stock Part: 100783

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 725mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR3LAM30ATR

Stock Part: 146847

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR3L60ATE25

Stock Part: 164503

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR2L30ATE25

Stock Part: 108246

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 490mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR1L60ATE25

Stock Part: 100531

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 530mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR2LAM30ATFTR

Stock Part: 8481

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RR2L6STE25

Stock Part: 170651

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR5LAM30ATFTR

Stock Part: 8592

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RSX101M-30TR

Stock Part: 179456

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 390mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR1L40ATE25

Stock Part: 144906

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RF081M2STR

Stock Part: 169647

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 800mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 800mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió