Diodes - Rectificadors - Individuals

Casa
Diodes - Rectificadors - Individuals

Rohm Semiconductor

SCS306AHGC9

Stock Part: 5214

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS215KGHRC

Stock Part: 4604

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 15A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFUS20TM4S

Stock Part: 38353

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 430V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFNL20TJ6SGC9

Stock Part: 39041

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 180ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS310APC9

Stock Part: 14032

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFVS8TJ6SGC9

Stock Part: 56407

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 40ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RF505TF6S

Stock Part: 47935

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS220AGC

Stock Part: 7823

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RF1005TF6S

Stock Part: 45010

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 40ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFNL10TJ6SGC9

Stock Part: 49154

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS215KGC

Stock Part: 5083

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 15A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS312AHGC9

Stock Part: 5067

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS205KGHRC

Stock Part: 10202

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS212AMC

Stock Part: 12077

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS302AHGC9

Stock Part: 5110

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2.15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 2A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFUS20TM6S

Stock Part: 37612

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.8V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFN20TF6SFH

Stock Part: 28389

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS212AJTLL

Stock Part: 25514

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS210AJHRTLL

Stock Part: 4329

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS308AHGC9

Stock Part: 4353

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFX10TF6S

Stock Part: 42119

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.5V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFV8TG6SGC9

Stock Part: 50867

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.8V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFU20TM5S

Stock Part: 36108

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 530V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFV8TJ6SGC9

Stock Part: 49848

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.8V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS206AGHRC

Stock Part: 13862

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS315AHGC9

Stock Part: 4301

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A (DC), Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFUS10TF4S

Stock Part: 63220

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 430V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS306APC9

Stock Part: 19954

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS220KGHRC

Stock Part: 3505

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS120KGC

Stock Part: 1540

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS310AMC

Stock Part: 5342

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS310AHGC9

Stock Part: 5358

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS210AMC

Stock Part: 27731

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFV12TG6SGC9

Stock Part: 42386

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.8V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

Cessió

RB058L-60DDTE25

Rohm Semiconductor

RB058L-60DDTE25

Stock Part: 121724

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 640mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RFUS20TF6S

Stock Part: 41391

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.8V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

642

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»