Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 18

RB055LAM-60TFTR

Stock Part: 140998

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS212AGC

Stock Part: 11792

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB162LAM-40TR

Stock Part: 191671

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB081LAM-20TR

Stock Part: 9993

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBE1VAM20ATR

Stock Part: 191938

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 530mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB168MM150TR

Stock Part: 145769

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR2MM60CTR

Stock Part: 186080

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB160VAM-60TR

Stock Part: 112597

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 670mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB530VM-40TE-17

Stock Part: 154634

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 690mV @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB160LAM-90TFTR

Stock Part: 9936

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

DAN212KT146

Stock Part: 157362

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RSX501L-20TE25

Stock Part: 172275

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 390mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB162MM-40TR

Stock Part: 133948

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RFU02VSM6STR

Stock Part: 152185

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFU02VSM8STR

Stock Part: 175461

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB501VM-40TE-17

Stock Part: 167701

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

RF2L6STE25

Stock Part: 176393

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB461FT106

Stock Part: 143659

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 700mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 490mV @ 700mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB021VA90TR

Stock Part: 132881

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 490mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR2MM60ATR

Stock Part: 124729

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB162MM-30TR

Stock Part: 181059

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBE2VAM20ATR

Stock Part: 161323

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 460mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB162LAM-60TFTR

Stock Part: 9961

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR2MM40ATR

Stock Part: 142776

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RSX101VAM30TR

Stock Part: 157218

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB056LAM-40TR

Stock Part: 163462

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 670mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RF501PS2STB

Stock Part: 429

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RBE07V20ATE-17

Stock Part: 130620

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 700mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 430mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS110KGC

Stock Part: 3831

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB055L-30DDTE25

Stock Part: 117885

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RR2LAM4STR

Stock Part: 162570

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RLS4148TE-11

Stock Part: 328

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RSX205LAM30TR

Stock Part: 179694

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 490mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RF302LAM2STFTR

Stock Part: 9968

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RSX051VYM30FHTR

Stock Part: 9962

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 390mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 9.6ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB451FT106

Stock Part: 142589

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió