Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 18

RR2L4SDDTE25

Stock Part: 192989

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB055L-60DDTE25

Stock Part: 169765

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB068L100DDTE25

Stock Part: 159622

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RF101A2ST-32

Stock Part: 1457

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 870mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR1L30ATE25

Stock Part: 182582

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 480mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB441Q-40T-72

Stock Part: 1690

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB160A30T-32

Stock Part: 1470

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 480mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR3L40ATE25

Stock Part: 107248

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 690mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RLR4004TE-21

Stock Part: 1519

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 800mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 800mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS120AGC

Stock Part: 3537

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB075B40STL

Stock Part: 1500

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RF301B2STL

Stock Part: 1665

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 930mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RR601B4STL

Stock Part: 1521

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS304APC9

Stock Part: 29489

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 4A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB068L-60DDTE25

Stock Part: 107512

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS215AMC

Stock Part: 10352

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR3L30BTE25

Stock Part: 164633

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 530mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB521S-30FTE61

Stock Part: 5227

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

RF305B6STL

Stock Part: 1512

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS108AGC

Stock Part: 10897

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB520S-30FTE61

Stock Part: 5168

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB050L-40DDTE25

Stock Part: 113229

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB058L-40DDTE25

Stock Part: 177912

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB151L-40TE25

Stock Part: 1494

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RFU10TF6S

Stock Part: 42109

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.8V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RR2L6SDDTE25

Stock Part: 149341

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS212AGHRC

Stock Part: 9389

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RB060L-40DDTE25

Stock Part: 139747

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB721Q-40T-72

Stock Part: 1697

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 370mV @ 1mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Rohm Semiconductor

RBR5L30ATE25

Stock Part: 135247

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 540mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB160A60T-32

Stock Part: 1547

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RB160A40T-32

Stock Part: 1491

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

SCS220AMC

Stock Part: 8150

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFN10B3STL

Stock Part: 1229

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 350V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Rohm Semiconductor

RFUS20NS4STL

Stock Part: 72169

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 430V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Rohm Semiconductor

RFN20TJ6SGC9

Stock Part: 8486

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.55V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

Cessió