Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 6

CUS05S30,H3F

Stock Part: 141424

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 340mV @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S30,H3F

Stock Part: 175222

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 230mV @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02SL,L3F

Stock Part: 21594

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 10V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10mA (DC), Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS520,L3F

Stock Part: 122854

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S40,L3F

Stock Part: 159042

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S40,H3F

Stock Part: 172576

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 400mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMF05(TE12L,Q,M)

Stock Part: 158502

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.7V @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 100ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05S30,L3F

Stock Part: 114342

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 340mV @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CES388,L3F

Stock Part: 155708

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L,Q,M)

Stock Part: 159752

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S40,H3F

Stock Part: 139868

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 350mV @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

Stock Part: 11358

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L,Q,M)

Stock Part: 144392

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS06(TE12L,Q,M)

Stock Part: 184133

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 370mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L,Q,M)

Stock Part: 139204

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 460mV @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L,Q,M)

Stock Part: 121678

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L,Q,M)

Stock Part: 183971

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 360mV @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L,Q,M)

Stock Part: 104302

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 360mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L,Q,M)

Stock Part: 164330

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 370mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS05(TE12L,Q,M)

Stock Part: 112076

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS08F30,H3F

Stock Part: 193256

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 800mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 220mV @ 10mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10F40,L3F

Stock Part: 8420

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F40,H3F

Stock Part: 4875

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 670mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS520,H3F

Stock Part: 181235

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 280mV @ 10mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F40,H3F

Stock Part: 4923

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 810mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F30,H3F

Stock Part: 151245

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05F40,L3F

Stock Part: 8357

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 810mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió