Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 6

CBS05F30(TPL3)

Stock Part: 1645

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

Stock Part: 131336

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

Stock Part: 1424

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.47V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

Stock Part: 1267

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

Stock Part: 1440

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.47V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

Stock Part: 1359

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.98V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

Stock Part: 1368

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

Stock Part: 1091

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

Stock Part: 1170

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 700mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 700mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

Stock Part: 1121

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

Stock Part: 852

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

Stock Part: 101221

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

Stock Part: 779

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

Stock Part: 186793

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 360mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

Stock Part: 9971

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

Stock Part: 186045

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

Stock Part: 161979

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 360mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

Stock Part: 122216

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 215mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

Stock Part: 168808

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

Stock Part: 784

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 390mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

Stock Part: 171031

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 400mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

Stock Part: 142010

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 140mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 1.5ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

Stock Part: 262

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

Stock Part: 173

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

Stock Part: 183

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 400mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

Stock Part: 211

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 370mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

Stock Part: 213

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

Stock Part: 196

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 460mV @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

Stock Part: 264

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 360mV @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

Stock Part: 5028

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

Stock Part: 200

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 360mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

Stock Part: 264

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 360mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

Stock Part: 178

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 370mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

Stock Part: 129014

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 370mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

Stock Part: 124325

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 400mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

Stock Part: 143420

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió