Diodes - Rectificadors - Individuals

Casa
Diodes - Rectificadors - Individuals

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387CT,L3F

Stock Part: 117530

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 1.6ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS190TE85LF

Stock Part: 116

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS187,LF

Stock Part: 131

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416CT,L3F

Stock Part: 111

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

1SS307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307(TE85L,F)

Stock Part: 161

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193,LF

Stock Part: 176168

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413CT,L3F

Stock Part: 156192

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 50mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

Stock Part: 201

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

1SS401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

Stock Part: 122602

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 300mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193S,LF(D

Stock Part: 2303

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,H3F

Stock Part: 1533

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 50mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS394TE85LF

Stock Part: 154898

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 10V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

Stock Part: 152629

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

1SS196(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS196(TE85L,F)

Stock Part: 136052

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403,H3F

Stock Part: 175794

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS370TE85LF

Stock Part: 1558

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

Stock Part: 146552

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

Stock Part: 180671

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 50mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416,L3M

Stock Part: 113319

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417,L3M

Stock Part: 108515

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 50mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417CT,L3F

Stock Part: 21577

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS405,H3F

Stock Part: 106441

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 50mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,L3F

Stock Part: 119305

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 10V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS367,H3F

Stock Part: 129010

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 10V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS427,L3M

Stock Part: 138564

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 1.6ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS404,H3F

Stock Part: 174948

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 300mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

Stock Part: 106991

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

Stock Part: 126326

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

1SS250(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS250(TE85L,F)

Stock Part: 172900

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS294,LF

Stock Part: 154455

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,H3F

Stock Part: 8357

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

Stock Part: 8339

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,L3F

Stock Part: 8339

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS10E65C,S1Q

Stock Part: 6216

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

Stock Part: 176414

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

Stock Part: 162705

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

207

«
1
2
3
4
5
6
»