Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 6

CRG09(TE85L,Q,M)

Stock Part: 193

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 700mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS04(TE85L,Q,M)

Stock Part: 250

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 700mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 700mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08(TE12L,Q,M)

Stock Part: 223

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 100ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I40A(TE85L,QM

Stock Part: 162

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 490mV @ 700mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRG07(TE85L,Q,M)

Stock Part: 183

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 700mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 700mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05(TE12L,Q,M)

Stock Part: 178

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 100ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS14(TE85L,Q,M)

Stock Part: 166

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 490mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10(TE12L,Q,M)

Stock Part: 130001

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16L,Q)

Stock Part: 2615

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,HIT,Q)

Stock Part: 2547

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.55V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CANO-O,Q

Stock Part: 2587

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.55V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16R,Q)

Stock Part: 2557

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.58V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16R,Q)

Stock Part: 2558

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05,LMBJQ(O

Stock Part: 2588

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.98V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16R,Q)

Stock Part: 2552

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16R,Q)

Stock Part: 2596

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.47V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,SHINA,Q)

Stock Part: 2554

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.58V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16L,Q)

Stock Part: 2598

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.98V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(TE16R,Q)

Stock Part: 2581

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.98V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PCD,Q)

Stock Part: 2562

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.58V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16R,Q)

Stock Part: 2544

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.55V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CLAR,Q)

Stock Part: 2597

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.55V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,SQC,Q)

Stock Part: 2590

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.55V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16L,Q)

Stock Part: 2608

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16R,Q)

Stock Part: 2533

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.98V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01,LFJFQ(O

Stock Part: 2549

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.47V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03,LNITTOQ(O

Stock Part: 2564

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.58V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,CANO-O,Q

Stock Part: 2613

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.58V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16L,Q)

Stock Part: 2603

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,SQC,Q)

Stock Part: 2602

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.58V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PSD,Q)

Stock Part: 5263

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.58V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16L,NMB,Q)

Stock Part: 2547

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,DNSO,Q

Stock Part: 2552

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 0.58V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16R,Q)

Stock Part: 5332

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3IDTF

Stock Part: 2062

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 400mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05A(TE12L,Q,M)

Stock Part: 102694

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió