Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
MUR220G
ON Semiconductor

MUR220G

Stock Part: 192731

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
RURP860
ON Semiconductor

RURP860

Stock Part: 51991

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 70ns,

Cessió
FFP08S60SNTU
ON Semiconductor

FFP08S60SNTU

Stock Part: 63735

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3.4V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 32ns,

Cessió
SBRB1045T4G
ON Semiconductor

SBRB1045T4G

Stock Part: 79491

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR820G
ON Semiconductor

MUR820G

Stock Part: 79665

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
ISL9R860S3ST
ON Semiconductor

ISL9R860S3ST

Stock Part: 79729

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.4V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió
NGTD5R65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD5R65F2SWK

Stock Part: 134326

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 20A,

Cessió
MBR1090G
ON Semiconductor

MBR1090G

Stock Part: 77140

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
ISL9R1560PF2
ON Semiconductor

ISL9R1560PF2

Stock Part: 51234

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 40ns,

Cessió
RUR1S1560S9A
ON Semiconductor

RUR1S1560S9A

Stock Part: 53386

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

Cessió
FFSP0665A
ON Semiconductor

FFSP0665A

Stock Part: 3907

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8.8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
DSM10G-TR-E
ON Semiconductor

DSM10G-TR-E

Stock Part: 2211

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFSP15120A
ON Semiconductor

FFSP15120A

Stock Part: 9189

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
ISL9R860P2
ON Semiconductor

ISL9R860P2

Stock Part: 66593

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.4V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió
FFSP1265A
ON Semiconductor

FFSP1265A

Stock Part: 4234

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
FFSP1065A
ON Semiconductor

FFSP1065A

Stock Part: 3870

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
ISL9R860PF2
ON Semiconductor

ISL9R860PF2

Stock Part: 81451

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.4V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió
ISL9R18120S3ST
ON Semiconductor

ISL9R18120S3ST

Stock Part: 46051

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 18A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3.3V @ 18A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió
MBRD835LG
ON Semiconductor

MBRD835LG

Stock Part: 101740

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRD350G
ON Semiconductor

MBRD350G

Stock Part: 182517

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR10F40QNXT5G
ON Semiconductor

NSR10F40QNXT5G

Stock Part: 179059

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 490mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RHRP1560-F102
ON Semiconductor

RHRP1560-F102

Stock Part: 4078

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 40ns,

Cessió
RHRP3060-F102
ON Semiconductor

RHRP3060-F102

Stock Part: 4323

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

Cessió
ISL9R3060G2
ON Semiconductor

ISL9R3060G2

Stock Part: 24084

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.4V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

Cessió
FFSH50120A
ON Semiconductor

FFSH50120A

Stock Part: 4607

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 77A (DC), Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
FFP30S60STU
ON Semiconductor

FFP30S60STU

Stock Part: 49224

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.6V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 40ns,

Cessió
ISL9R1560P2
ON Semiconductor

ISL9R1560P2

Stock Part: 44185

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 40ns,

Cessió
ISL9R3060G2-F085
ON Semiconductor

ISL9R3060G2-F085

Stock Part: 4788

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.4V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

Cessió
MURF860G
ON Semiconductor

MURF860G

Stock Part: 77148

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

Cessió
FFSP3065A
ON Semiconductor

FFSP3065A

Stock Part: 10157

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFSP2065A
ON Semiconductor

FFSP2065A

Stock Part: 4288

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
MBR340G
ON Semiconductor

MBR340G

Stock Part: 146492

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NGTD5R65F2WP
ON Semiconductor

NGTD5R65F2WP

Stock Part: 194928

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 20A,

Cessió
MBRB2515LT4G
ON Semiconductor

MBRB2515LT4G

Stock Part: 57810

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 15V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR05F30QNXT5G
ON Semiconductor

NSR05F30QNXT5G

Stock Part: 149299

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 430mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR415G
ON Semiconductor

MUR415G

Stock Part: 159273

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 890mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió