Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
NSVRB521S30T1G
ON Semiconductor

NSVRB521S30T1G

Stock Part: 155385

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
NSR0340V2T1G
ON Semiconductor

NSR0340V2T1G

Stock Part: 162532

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
NRVBA160T3G
ON Semiconductor

NRVBA160T3G

Stock Part: 112180

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FSV540
ON Semiconductor

FSV540

Stock Part: 160727

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FSV1550V
ON Semiconductor

FSV1550V

Stock Part: 183982

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SBAT54XV2T1G
ON Semiconductor

SBAT54XV2T1G

Stock Part: 165267

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
FS8G
ON Semiconductor

FS8G

Stock Part: 127537

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3.37µs,

Cessió
MUR805G
ON Semiconductor

MUR805G

Stock Part: 83304

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBRA2H100T3G
ON Semiconductor

MBRA2H100T3G

Stock Part: 175646

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS10120EMFST3G
ON Semiconductor

NTS10120EMFST3G

Stock Part: 177171

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVTS360ETFSWFTAG
ON Semiconductor

NRVTS360ETFSWFTAG

Stock Part: 266

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVTS12120MFST1G
ON Semiconductor

NRVTS12120MFST1G

Stock Part: 147496

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 830mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2045EMFST3G
ON Semiconductor

MBR2045EMFST3G

Stock Part: 132737

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 640mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR5100MFST3G
ON Semiconductor

MBR5100MFST3G

Stock Part: 103152

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS10120MFST1G
ON Semiconductor

NTS10120MFST1G

Stock Part: 115740

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RHRP30120
ON Semiconductor

RHRP30120

Stock Part: 31591

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3.2V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 85ns,

Cessió
RURG8060-F085
ON Semiconductor

RURG8060-F085

Stock Part: 579

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 80A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 90ns,

Cessió
NRVTS8120EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS8120EMFST1G

Stock Part: 177405

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2045EMFST1G
ON Semiconductor

MBR2045EMFST1G

Stock Part: 117978

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 640mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR30H100MFST1G
ON Semiconductor

MBR30H100MFST1G

Stock Part: 117113

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR10100MFST3G
ON Semiconductor

MBR10100MFST3G

Stock Part: 199531

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MSR1560G
ON Semiconductor

MSR1560G

Stock Part: 44943

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

Cessió
NRVB560MFST3G
ON Semiconductor

NRVB560MFST3G

Stock Part: 137725

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 780mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVTS1545EMFST3G
ON Semiconductor

NRVTS1545EMFST3G

Stock Part: 168726

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS10100EMFST3G
ON Semiconductor

NTS10100EMFST3G

Stock Part: 159608

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVB460MFST3G
ON Semiconductor

NRVB460MFST3G

Stock Part: 160496

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 740mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RURD420S9A_T
ON Semiconductor

RURD420S9A_T

Stock Part: 2595

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
NTS12120EMFST3G
ON Semiconductor

NTS12120EMFST3G

Stock Part: 197578

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 830mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR8H100MFST1G
ON Semiconductor

MBR8H100MFST1G

Stock Part: 130457

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVTS10120EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS10120EMFST1G

Stock Part: 198726

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVB1240MFST3G
ON Semiconductor

NRVB1240MFST3G

Stock Part: 104946

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS10120EMFST1G
ON Semiconductor

NTS10120EMFST1G

Stock Part: 134113

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS12100EMFST1G
ON Semiconductor

NTS12100EMFST1G

Stock Part: 107392

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 730mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR540MFST1G
ON Semiconductor

MBR540MFST1G

Stock Part: 134413

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS10100MFST3G
ON Semiconductor

NTS10100MFST3G

Stock Part: 176173

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 690mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS1045MFST1G
ON Semiconductor

NTS1045MFST1G

Stock Part: 162251

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió