Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
NRVB2045EMFST3G
ON Semiconductor

NRVB2045EMFST3G

Stock Part: 126441

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 640mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVB860MFST3G
ON Semiconductor

NRVB860MFST3G

Stock Part: 148816

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVTS12120EMFST3G
ON Semiconductor

NRVTS12120EMFST3G

Stock Part: 148989

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 830mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR440MFST1G
ON Semiconductor

MBR440MFST1G

Stock Part: 175331

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR460MFST3G
ON Semiconductor

MBR460MFST3G

Stock Part: 186301

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 740mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVB8H100MFSWFT3G
ON Semiconductor

NRVB8H100MFSWFT3G

Stock Part: 177193

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVB5100MFST3G
ON Semiconductor

NRVB5100MFST3G

Stock Part: 146930

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVTS1045EMFST3G
ON Semiconductor

NRVTS1045EMFST3G

Stock Part: 108981

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR860MFST3G
ON Semiconductor

MBR860MFST3G

Stock Part: 194600

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVB8H100MFSWFT1G
ON Semiconductor

NRVB8H100MFSWFT1G

Stock Part: 180069

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS1545MFST1G
ON Semiconductor

NTS1545MFST1G

Stock Part: 143654

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVTS12100EMFST3G
ON Semiconductor

NRVTS12100EMFST3G

Stock Part: 188227

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 730mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVB830MFST1G
ON Semiconductor

NRVB830MFST1G

Stock Part: 176738

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR5H100MFST3G
ON Semiconductor

MBR5H100MFST3G

Stock Part: 172015

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 730mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR3100RLG
ON Semiconductor

MBR3100RLG

Stock Part: 141633

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVTS1245EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS1245EMFST1G

Stock Part: 182400

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR1240MFST3G
ON Semiconductor

MBR1240MFST3G

Stock Part: 186855

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVB30H100MFST3G
ON Semiconductor

NRVB30H100MFST3G

Stock Part: 125427

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2045MFST1G
ON Semiconductor

MBR2045MFST1G

Stock Part: 166063

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 610mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVB1045MFST3G
ON Semiconductor

NRVB1045MFST3G

Stock Part: 153379

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS1045MFST3G
ON Semiconductor

NTS1045MFST3G

Stock Part: 186363

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR830MFST3G
ON Semiconductor

MBR830MFST3G

Stock Part: 168778

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR8H100MFST3G
ON Semiconductor

MBR8H100MFST3G

Stock Part: 169137

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS10120MFST3G
ON Semiconductor

NTS10120MFST3G

Stock Part: 173561

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVTS1045EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS1045EMFST1G

Stock Part: 184646

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS12100MFST3G
ON Semiconductor

NTS12100MFST3G

Stock Part: 117646

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 730mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR1045MFST3G
ON Semiconductor

MBR1045MFST3G

Stock Part: 161056

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVTS10120MFST3G
ON Semiconductor

NRVTS10120MFST3G

Stock Part: 101101

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVB2045EMFST1G
ON Semiconductor

NRVB2045EMFST1G

Stock Part: 112369

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 640mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFA40UP35STU
ON Semiconductor

FFA40UP35STU

Stock Part: 23196

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 350V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 55ns,

Cessió
NRVB8H100MFST3G
ON Semiconductor

NRVB8H100MFST3G

Stock Part: 180766

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS1045EMFST3G
ON Semiconductor

NTS1045EMFST3G

Stock Part: 175811

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2045MFST3G
ON Semiconductor

MBR2045MFST3G

Stock Part: 186886

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 610mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVB10100MFST3G
ON Semiconductor

NRVB10100MFST3G

Stock Part: 190017

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVB540MFST3G
ON Semiconductor

NRVB540MFST3G

Stock Part: 125778

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS1045EMFST1G
ON Semiconductor

NTS1045EMFST1G

Stock Part: 109705

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió