Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors - Bipolar (BJT) - Matrius

  • Casa
  •  
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Matrius
MC1413DR2
ON Semiconductor

MC1413DR2

Stock Part: 4396

Tipus de transistor: 7 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Cessió
UMZ1NT1G
ON Semiconductor

UMZ1NT1G

Stock Part: 108993

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 2µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió
NSVT3906DXV6T1G
ON Semiconductor

NSVT3906DXV6T1G

Stock Part: 151622

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
MBT3904DW2T1G
ON Semiconductor

MBT3904DW2T1G

Stock Part: 4435

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
NSVT65011MW6T1G
ON Semiconductor

NSVT65011MW6T1G

Stock Part: 147100

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
CPH6539-TL-H
ON Semiconductor

CPH6539-TL-H

Stock Part: 157612

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 15mA, 750mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Cessió
NSVT65010MW6T1G
ON Semiconductor

NSVT65010MW6T1G

Stock Part: 171628

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Cessió
EMT1DXV6T5
ON Semiconductor

EMT1DXV6T5

Stock Part: 4423

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Cessió
MBT3904DW1T3G
ON Semiconductor

MBT3904DW1T3G

Stock Part: 132584

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
NST3904DP6T5G
ON Semiconductor

NST3904DP6T5G

Stock Part: 189012

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
SBC847BDW1T3G
ON Semiconductor

SBC847BDW1T3G

Stock Part: 124858

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
MCH6545-TL-E
ON Semiconductor

MCH6545-TL-E

Stock Part: 114896

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Cessió
NST3946DXV6T1G
ON Semiconductor

NST3946DXV6T1G

Stock Part: 193638

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
NSVBC847BDW1T2G
ON Semiconductor

NSVBC847BDW1T2G

Stock Part: 174951

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
SCH2202-TL-E
ON Semiconductor

SCH2202-TL-E

Stock Part: 4450

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 15V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Cessió
NSS40301MDR2G
ON Semiconductor

NSS40301MDR2G

Stock Part: 190503

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

Cessió
MMPQ2907
ON Semiconductor

MMPQ2907

Stock Part: 4407

Tipus de transistor: 4 PNP (Quad), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 30mA, 300mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió
NST857BDP6T5G
ON Semiconductor

NST857BDP6T5G

Stock Part: 139482

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Cessió
MCH6541-TL-E
ON Semiconductor

MCH6541-TL-E

Stock Part: 104596

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 700mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA / 220mV @ 10mA, 200mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V / 200 @ 10mA, 2V,

Cessió
NSS40302PDR2G
ON Semiconductor

NSS40302PDR2G

Stock Part: 139476

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

Cessió
MCH6534-TL-E
ON Semiconductor

MCH6534-TL-E

Stock Part: 159503

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 700mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 15V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Cessió
FMBA06
ON Semiconductor

FMBA06

Stock Part: 107475

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Cessió
SMBT3946DW1T1G
ON Semiconductor

SMBT3946DW1T1G

Stock Part: 189605

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
EMX1DXV6T5G
ON Semiconductor

EMX1DXV6T5G

Stock Part: 154108

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Cessió
MC1413DR2G
ON Semiconductor

MC1413DR2G

Stock Part: 133189

Tipus de transistor: 7 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Cessió
MC1413PG
ON Semiconductor

MC1413PG

Stock Part: 128529

Tipus de transistor: 7 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Cessió
MMPQ2907A
ON Semiconductor

MMPQ2907A

Stock Part: 96889

Tipus de transistor: 4 PNP (Quad), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 20nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió
SNST3904DXV6T5G
ON Semiconductor

SNST3904DXV6T5G

Stock Part: 106304

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
MC1413BDR2G
ON Semiconductor

MC1413BDR2G

Stock Part: 196431

Tipus de transistor: 7 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Cessió
MMPQ6700
ON Semiconductor

MMPQ6700

Stock Part: 81112

Tipus de transistor: 2 NPN, 2 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V,

Cessió
FFB2907A_D87Z
ON Semiconductor

FFB2907A_D87Z

Stock Part: 4446

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 20nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió
MC1413BDG
ON Semiconductor

MC1413BDG

Stock Part: 138205

Tipus de transistor: 7 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Cessió
FFB3946
ON Semiconductor

FFB3946

Stock Part: 125594

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
SBC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor

SBC847BPDXV6T1G

Stock Part: 103497

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
SBC846BDW1T1G
ON Semiconductor

SBC846BDW1T1G

Stock Part: 163502

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
NSS60101DMTTBG
ON Semiconductor

NSS60101DMTTBG

Stock Part: 122699

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Cessió