Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors - Bipolar (BJT) - Matrius

  • Casa
  •  
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Matrius
2SA1708T-YMH-AN
ON Semiconductor

2SA1708T-YMH-AN

Stock Part: 4488

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Cessió
BC848CPDW1T1G
ON Semiconductor

BC848CPDW1T1G

Stock Part: 121168

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847CDXV6T1H
ON Semiconductor

BC847CDXV6T1H

Stock Part: 122457

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor

BC847BPDXV6T1G

Stock Part: 160959

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847CDXV6T1G
ON Semiconductor

BC847CDXV6T1G

Stock Part: 115909

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847S
ON Semiconductor

BC847S

Stock Part: 147700

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor

BC847BPDXV6T1

Stock Part: 4563

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847BS
ON Semiconductor

BC847BS

Stock Part: 182235

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC858CDW1T1G
ON Semiconductor

BC858CDW1T1G

Stock Part: 6498

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC858CDW1T1
ON Semiconductor

BC858CDW1T1

Stock Part: 4499

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC857CDW1T1
ON Semiconductor

BC857CDW1T1

Stock Part: 4423

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC856BDW1T1
ON Semiconductor

BC856BDW1T1

Stock Part: 4478

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC848CPDW1T1
ON Semiconductor

BC848CPDW1T1

Stock Part: 4434

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC848CDXV6T1G
ON Semiconductor

BC848CDXV6T1G

Stock Part: 4467

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847BPDXV6T5G
ON Semiconductor

BC847BPDXV6T5G

Stock Part: 6445

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC858CDXV6T5G
ON Semiconductor

BC858CDXV6T5G

Stock Part: 4404

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC848CDXV6T5G
ON Semiconductor

BC848CDXV6T5G

Stock Part: 4440

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847CDXV6T5G
ON Semiconductor

BC847CDXV6T5G

Stock Part: 4426

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847CDXV6T5
ON Semiconductor

BC847CDXV6T5

Stock Part: 4475

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC858CDXV6T5
ON Semiconductor

BC858CDXV6T5

Stock Part: 4393

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC848CDXV6T5
ON Semiconductor

BC848CDXV6T5

Stock Part: 4433

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC857S
ON Semiconductor

BC857S

Stock Part: 117373

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC856BDW1T3G
ON Semiconductor

BC856BDW1T3G

Stock Part: 135230

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC848CDW1T1G
ON Semiconductor

BC848CDW1T1G

Stock Part: 175357

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847CDW1T1G
ON Semiconductor

BC847CDW1T1G

Stock Part: 117917

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC856BDW1T1G
ON Semiconductor

BC856BDW1T1G

Stock Part: 175380

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC858CDXV6T1G
ON Semiconductor

BC858CDXV6T1G

Stock Part: 168041

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847BPDW1T2G
ON Semiconductor

BC847BPDW1T2G

Stock Part: 149592

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC857CDW1T1G
ON Semiconductor

BC857CDW1T1G

Stock Part: 185143

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC846BPDW1T1G
ON Semiconductor

BC846BPDW1T1G

Stock Part: 165331

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847BPDW1T3G
ON Semiconductor

BC847BPDW1T3G

Stock Part: 123526

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847BDW1T3G
ON Semiconductor

BC847BDW1T3G

Stock Part: 102627

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847BDW1T1G
ON Semiconductor

BC847BDW1T1G

Stock Part: 161746

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC847BPDW1T1G
ON Semiconductor

BC847BPDW1T1G

Stock Part: 144465

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC857BDW1T1G
ON Semiconductor

BC857BDW1T1G

Stock Part: 194751

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC846BDW1T1G
ON Semiconductor

BC846BDW1T1G

Stock Part: 189374

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió